陳星弼

陳星弼

陳星弼,男,半導體器件及微電子學專家。中國科學院院士。電子科技大學教授。1931年1月出生于上海,1952年畢業于同濟大學,後在廈門大學、南京工學院(現東南大學)及中國科學院物理研究所工作。 1956年開始在成都電訊工程學院(現電子科技大學)工作。

1980年美國俄亥俄州大學作訪問學者。1981年加州大學伯克萊分校作訪問學者、研究工程師。1983年任電子科技大學微電子科學與工程系系主任、微電子研究所所長。曾先後被聘為加拿大多倫多大學電器工程系客座教授,英國威爾斯大學天鵝海分校高級客座教授。 1999年當選中國科學院院士。

5月10日至14日,功率半導體領域最頂級的學術年會--第二十七屆國際功率半導體器件與積體電路年會(IEEE ISPSD 2015)在中國香港舉行。我校陳星弼院士因對高壓功率MOSFET理論與設計的卓越貢獻獲得大會頒發的最高榮譽"國際功率半導體先驅獎"(ISPSD 2015 Pioneer Award),成為亞太地區首位獲此殊榮的科學家。

  • 中文名稱
    陳星弼
  • 國籍
    中國
  • 出生地
    中國上海
  • 出生日期
    1931年1月
  • 職業
    院士,半導體器件及微電子學專家
  • 畢業院校
    北山中學;同濟大學
  • 主要成就
    1999年當選中國科學院院士
  • 代表作品
    電晶體原理與設計

人物簡介

陳星弼陳星弼

陳星弼,原籍浙江浦江,生于上海。1952年畢業于同濟大學電機系。電子科技大學教授。五十年代末,對漂移晶體管的存貯時間問題在國際上最早作了系統的理論分析。提出新的電荷法基本方程、不均勻介質中鏡象電荷方程等。八十年代以來,從事半導體電力電子器件的理論與結構創新方面的研究。從理論上解決了提高p- n結耐壓的平面及非平面工藝的終端技術問題,作出了一些迄今唯一的理論分析解。在解決MOS功率管中降低導通電阻與提高耐壓之間的矛盾問題上作出了系列重要貢獻。發明了耐壓層的三種新結構,提高了功率器件的綜合性能優值,其中橫向耐壓層新結構在製備工藝上與常規CMOS和BiCMOS工藝兼容,有利于發展耐高壓的功率積體電路。1999年當選為中國科學院院士。

陳星弼教授在新型功率(電力電子)器件及其積體電路這一極其重要領域中,做出了一系列重要的貢獻與成就。他率先在中國提出立項並作為第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有關技術。他對垂直型功率器件耐壓層及橫向型功率器件的表面耐壓區唯一地作出了最佳化設計理論且得到實際套用。對功率器件的另一關鍵技術——結終端技術——作出了系統的理論分析及最最佳化設計方法並套用在各種電力電子器件的設計中取得良好的效果。他還提出了斜坡場板這一新結構的理論。他的三項重要發明能使電力電子器件在一個新的台階上發展。這些發明打破了傳統極限理論的約束,使器件的電學性能得到根本性的改進。第一種第二種發明突破了高速功率MOS高壓下導通電阻極限理論,得到新的極限關系。第一種發明被Siemens公司實現,98年在國際電子器件會議(舊金山)發表。第二種發明及第三種發明已在國內實驗成功。根據第三種發明來製造高壓(功率)積體電路中的橫向器件,可以在工藝上和常規的CMOS及BiCMOS工藝兼容,使這種電路不僅性能優越,而且成本節省,可立足國內,並正在走向產品開發。他作為唯一(或第一)作者(或主研)已在IEEE等學術刊物發表論文40多篇,出版著作五種(六冊),取得美國及中國發明專利權七項,獲得國家發明獎及國家科技進步獎二項,省部級獎十三項。圓滿完成八五國家自然科學基金重點項目、軍事預研項目及國家八五科技攻關重大項目,並獲得國家八五科技攻關先進個人,受到江澤民總書記等黨和國家領導人接見。2002年8月獲信產部信息產業重大技術發明獎(三項中排第一),2002年8月獲(美國3D公司傑出創新技術認可獎)及評價,不但高度評價本項目技術創新的意義,而且高度評價對環保的意義。有四項部級鑒定的新功率器件與功率積體電路均被評為“結構屬國際首創”“性能屬國際領先”。 陳星弼教授是中國電子學會會士、美國IEEE高級會員。多次出訪國外進行科技學術交流。他熱愛祖國、忠誠黨的教育事與科學事業。學識淵搏、治學嚴謹、工作刻苦。有堅實的基礎理論,能及時抓住新方向,很快深入,既能發現問題有能解決問題。1991年起享受國務院特殊津貼,1997年被評為電子部優秀教師,1998年被評為全國優秀教師。四川省學術與技術帶頭人。

相關圖書

陳星弼陳星弼

陳星弼1 電晶體原理與設計

作者:陳星弼,張慶中編ISBN:712102268

出版社:電子工業出版社出版日期:2006 2 電晶體原理與設計(第2版)

作者:陳星弼著ISBN:712102268

出版社:電子工業出版社出版日期:2006年2月

3 固體物理導論

作者:陳星弼編

出版社:國防工業出版社出版日期:1979

4 電晶體原理

陳星弼編

北京:國防工業出版社出版日期:1981

5 ·電晶體原理與設計

陳星弼編

成都:成都電訊工程學院出版社出版日期:1987

6 ·功率MOSFET與高壓積體電路

陳星弼著

南京:東南大學出版社出版日期:1990

相關評論報道

1 電子科技大學中山學院——總校中科院院士陳星弼教授蒞臨我院講學

陳星弼陳星弼

12月8日,我院非常榮幸地邀請了中國科學院院士、電子科技大學教授、博導陳星弼蒞臨我院講學。

作為蒞臨我院講學的首位中科院院士,陳星弼院士的到來無疑使我院廣大師生有了一次近距離感受院士學識風採、與之面對面交流的機會。因此,吸引了眾多同學前往聽講,定于16:30開講的2-104課室早就座無虛席了。

寬大的布幕上投影了陳星弼教授的簡歷介紹,座位上是同學們焦急等待的目光。當陳院士與馬爭院長一起走進課室時,全場響起了熱烈的掌聲。講座開始前馬爭院長介紹了陳星弼院士的簡歷,並簡要地說明了講座“由積體電路(半導體微電子)引起的革命”的內容。陳院士一開口就給人平易近人、和藹風趣的感覺,“是從小對孫中山先生的崇拜吸引我來這裏與大家交流的……”。他微笑著運用多媒體設備開始演講,圖文並茂地引出“第一次電子革命”,並提出“支撐這個世界的就是半導體微電子”,頓時吸引了同學們的註意力。雖然陳院士的講座有較強的專業理論性,但他深入淺出的論述還是讓在場的師生專註地聽講,為他精彩的演講鼓掌。陳院士淵博的專業知識讓同學們成長了許多見識,“積體電路技術引領信息時代的到來,這場革命涉及到每個人,從你的手表到現在普及的電腦……”“積體電路技術發展規律是神奇的Moore定律,它從出現開始一直被挑戰但一直站得住腳”陳院士除精闢地論述外還準備了許多材料來加深同學的認識。當他講到“Moore定律在不斷推動世界的進步與發展”時,舉出了這樣的例子:1959年,1美元買1隻電晶體;1999年,1美元買107隻電晶體!讓人記憶深刻。陳院士還講述了自己的創造發明專利和國內外的科研情況,展望積體電路(半導體微電子)的發展趨勢,提出深刻的見解,讓師生們受益匪淺。整個演講過程中,陳院士的淵博學識和講學風採都展現了大家風範。

在與同學們短暫的交流中,陳院士就在場同學提出的成才、學習等問題作了詳細深刻的解答,並希望青年大學生要重視、正視自己的優勢,戒浮戒躁,不要拿別人的優勢比自己的短處,要用興趣去學習,“吃得苦中苦,方為人上人”。當講座結束時,意猶未盡的同學們對陳星弼院士生動精彩的演講報以長久熱烈的掌聲。 2 搜家政-資訊頻道——成都電子科技大學教授、著名的電子學家陳星弼

陳星弼陳星弼

他雖然不會說家鄉話,但到任何地方,都說自己是浦江人;他常年在外,但時時牽掛著家鄉。他就是浦江籍中科院院士、成都電子科技大學教授、著名的電子學家陳星弼。 今年70歲的陳星弼德高望重,掛著許多頭銜:中國電子學會會員、美國IEEE高級會員、中國國家自然科學基金評審員等。功成名就的陳星弼,童年生活漂泊不定,對老家——浦江縣鄭家塢清塘村的記憶也隻保留在6歲舉家逃難時不到三個月的短暫記憶裏。當時為了躲避日本鬼子,陳星弼隨已在外地工作的父親回到了老家。由于時過境遷,其他都已記不得了,他隻記得在鄭家塢火車站過了一夜的簡陋情景:“晚上特別暗,衛生間的馬桶沒有蓋……”聽記者說現在鄭家塢大變樣了,陳星弼露出了欣喜的目光:“是嗎?有機會回去看看。”

到成都電子科技大學任教之前,陳星弼先後在廈門大學、南京工學院、中科院物理研究所工作。陳星弼到成都的時間是1959年3月,當時,國家領導已意識到有兩個專業將在以後的生活裏扮演重要角色,一個是電腦,一個是半導體。因為想以成都電子科技大學為依托,將成都辦成一個電子城,年輕有為、學術上嶄露頭角的陳星弼就這樣在國家首次科學規劃建立半導體事業的關鍵時候,移師南下。成都電子科技大學是國內電子學的權威學校,而陳星弼又是成都電子科技大學電子學的元老,不但建立了該校的微電子科學與工程學、微電子研究所,並曾擔任系主任與所長之職,而且還是學校電子科技大學半導體器件與微電子學等多項學科的博士生導師、學科帶頭人。

在陳星弼的帶領下,從20世紀80年代初期開始,成都電子科技大學就堅持了現代電力電子器件及功率積體電路的研究方向,促進了國家電力電子的發展,形成了重要的研究領域。在該領域裏,陳星弼發表了迄今為止惟一的垂直型及橫向型功率MOST的最佳化理論與設計公式,以及導通電阻與耐壓的極限關系。陳星弼還負責過“八五”國家科技攻關重點項目、國家自然科學基金重點項目、國防科工委及各種省部級項目近20項,其中,兩項獲美國發明專利,三項獲中國發明專利獎,兩項獲國家發明獎及科技進步獎,13項獲國家教委及省部級獎。1999年,陳星弼當選為中科院院士。

“有人把由半導體微電子技術引起的變化稱為第一次電子革命,它導致信息時代的到來。微電子技術是套用一個比頭發絲小百倍(且愈來愈小)的電晶體(半導體器件)代替50年前有半個香蕉大的電子管,現在技術已經把為數幾百萬以上(且愈來愈多)的電晶體做在一個手指甲大小的片子(積體電路)上,這項技術還在飛速發展。”採訪時,說到自己的專業,陳星弼津津樂道,不知不覺地就給記者上起課來了……

3 重慶市北山中學——1944級校友---陳星弼

陳星弼陳星弼

陳星弼 男 中科院院士,電子科技大學微電子與固體電子學院教授、博士導師、學科帶頭人,微電子技術研究所名譽所長。 1931年1月28日出生于上海浙江省浦江縣人。1944年入國立十六中高中部學習,1947年入學于國立同濟大學電機系,1952年任廈門大學電機系助教,1953年到1956年南京工學院無線電系任助教,後任講師。1956-1959年中國科學院物理所進修教師。1959年我國首次科學規劃建立半導體事業時,任成都電訊工程學院三系講師,副教授。此後他一直在成都電訊工程學院(即現在電子科技大學)工作。其中1980年曾去美國俄亥俄大學及加州大學伯克利分校作訪問學者及研究工程師,為時兩年半。1992-1994年受加拿大多倫多大學邀請作客座教授一年。1994-1995年英國威爾斯大學天鵝海分校電子工程系SeniorVisitingProfessor。他是電子科技大學半導體及微電子學科的學術帶頭人。1983年擔任三系系主任,1984年建立微電子研究所並任所長。

從八十年代初期開始堅持了現代電力電子器件及功率積體電路的研究方向,促進了電力電子技術的發展,形成一重要的領域。他在此領域發表了迄今唯一的垂直型及橫向型功率MOST的最佳化理論與設計公式以及導通電阻與耐壓的極限關系。為了充分達到極限耐壓,他唯一地在國際上提出各種終端技術的物理解釋,分析及設計公式,這些理論成為一個系統且覆蓋全面。他在1990年為該學科爭取到博士點,並為博士導師。他曾講授過十門以上不同課程,出版了<半導體物理>上下兩冊,《固體物理》,《電晶體原理》,《電晶體原理與設計》及《功率MOSFET與高壓積體電路》教科書及專著,其中後一本獲電子部教材特等獎。從1959年開始到現在,他在物理學報,半導體,IEEETrans.onE.D.,Solid-StateElectronics,InternationalJournalofElectronics等刊物發表論文四十多篇。

他負責過八五國家科技攻關重點項目,國家自然科學基金重點項目及國防科工委及各種省部級項目近二十項,獲得美國發明專利兩項,中國發明專利三項。獲國家發明獎及科技進步獎兩項,國家教委及省部級獎十三項,目前還正從事其它幾項重要發明的實現及新的探索工作。

他是中國電子學會會士,美國IEEE高級會員,中國國家自然科學基金評審員,美國紐約科學院(並入選其出版的世界名人錄Marquis\\\swhointheworld”中),半導體學報編委,中國電子學會半導體與集成技術委員會委員,中國電子學會四川省分會理事兼半導體與集成技術分會主任委員,曾連續擔任國際SSICT程式委員及分會主席及一屆中德友好電子周分會主席。他精通英語並能順利閱讀俄、德、日語專業文獻,對這些外語均有過翻譯出版物。

主要貢獻和重要發明

陳星弼陳星弼

陳星弼教授在新型功率(電力電子)器件及其積體電路這一極其重要領域中,做出了一系列重要的貢獻與成就。他率先在中國提出立項並作為第一主研完成了VDMOST、IGBT、Offset-GateMOST、LDMOST、SPIC及RESURF、SIPOS等器件及有關技術。他對垂直型功率器件耐壓層及橫向型功率器件的表面耐壓區唯一地作出了最佳化設計理論且得到實際套用。對功率器件的另一關鍵技術——結終端技術——作出了系統的理論分析及最最佳化設計方法並套用在各種電力電子器件的設計中取得良好的效果。他還提出了斜坡場板這一新結構的理論。 他的三項重要發明能使電力電子器件在一個新的台階上發展。這些發明打破了傳統極限理論的約束,使器件的電學性能得到根本性的改進。第一種第二種發明突破了高速功率MOS高壓下導通電阻極限理論,得到新的極限關系。第一種發明被Siemens公司實現,98年在國際電子器件會議(舊金山)發表。第二種發明及第三種發明已在國內實驗成功。根據第三種發明來製造高壓(功率)積體電路中的橫向器件,可以在工藝上和常規的CMOS及BiCMOS工藝兼容,使這種電路不僅性能優越,而且成本節省,可立足國內,並正在走向產品開發。

他作為唯一(或第一)作者(或主研)已在IEEE等學術刊物發表論文40多篇,出版著作五種(六冊),取得美國及中國發明專利權七項,獲得國家發明獎及國家科技進步獎二項,省部級獎十三項。圓滿完成八五國家自然科學基金重點項目、軍事預研項目及國家八五科技攻關重大項目,並獲得國家八五科技攻關先進個人,受到江澤民總書記等黨和國家領導人接見。2002年8月獲信產部信息產業重大技術發明獎(三項中排第一),2002年8月獲(美國3D公司傑出創新技術認可獎)及評價,不但高度評價本項目技術創新的意義,而且高度評價對環保的意義。有四項部級鑒定的新功率器件與功率積體電路均被評為“結構屬國際首創”“性能屬國際領先”。

陳星弼任教四十多年來,教過多種課。他親自教過及培養過近千名的學生,普遍反映受影響最深,他對學生要求嚴格。這些至今有口皆碑。他公開出版五本書,不少書迄今仍是許多大學的教材。

主要學術論著

陳星弼陳星弼

1 OptimizationoftheDriftRegionofPowerMOSFET`swithLateralStructuresandDeepJunctions 2 一維不均勻媒質中的景象法

3 小註入下電晶體Ic-V_be特徵的指數因子的研究

4 論電晶體電荷控製法的基礎

5 關于圓柱邊界突變結的擊穿電壓

6 關于半導體漂移三極體在飽和區工作的儲存時間問題

7 TheoryoftheSwitchingResponseofCBMOST

8 Theoryofoptimumdesignofreverse-biasedp-njunctionssuingresistivefieldplatesandvariationlateraldoping

9 OptimumVLDmakesSPICBetterandCheaper

10 OptimumDopingProfileofPowerMOSFETEpitaxialLayer

11 OptimumDesignParametersforDifferentPatternsofCB-Structure

12 OptimizationoftheSpecificOn-ResistanceoftheCOOLMOS~TM

13 New“siliconlimit”ofpowerdevices

14 Lateralhigh-voltageusinganoptimizedvariationallateraldoping

15 Breakthroughtothe“Siliconlimit”ofPowerDevices

16 Analysisanddesignguidelinesofjit`susedinplanartechnology

17 AnAnalyticalModelforElectricFieldDistributionofPositivelyBeveledAbruptPNJunctions

18 ATheoryofFloatingField-LimitingRingsRegardingtheEffectofSurfaceCharges

19 Asimpledescriptionofdiffusedimpuritydistributionofaninstantaneoussourcethroughawindowofamask

20 ANovelHigh-VoltageSustainingStructurewithBuriedOppositelyDopedRegions

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