闕端麟

闕端麟

闕端麟(1928年5月19日-2014年12月17日),出生于福建福州,中國著名半導體材料專家、浙江省政協原副主席、省科協原主席、原浙江大學副校長, 1991當選為中國科學院院士,1984年加入九三學社,九三學社第八屆中央委員會委員,第九、十屆中央委員會常委。

闕端麟1951年畢業于廈門大學電機系,畢業後留校任教。1953年調浙江大學工作,1954年晉升為講師,1978年晉升為副教授,1981年晉升為教授。曾先後任浙江大學電機系實驗室主任、無線電系半導體材料與器件教研室副主任、材料科學與工程系副主任、半導體材料研究室主任、半導體材料研究所所長、浙江大學副校長、校務委員會副主任。

1954年,他開始從事溫差電材料的研究,跨入了半導體材料這一新興學科,試製成我國第一台溫差發動機。1959年轉向矽材料的研究,1964年在國內首先用矽烷法製成純矽,隨後在浙江大學組成了擴大的研究課題組,于1970年完成了高純矽烷及多晶矽生產的成套技術研究,工藝簡單,流程短,易于保證高純度,是我國生產高純矽烷的主要方法,該成果獲國家發明獎三等獎。

  • 姓名
    闕端麟
  • 國籍
    中國
  • 民族
    漢族
  • 出生地
    福建福州
  • 職業
    科學家,半導體材料專家
  • 畢業院校
    廈門大學

人物經歷

闕端麟闕端麟

闕端麟1951年畢業于廈門大學電機系,畢業後留校任教。

1953年調浙江大學工作,1954年晉升為講師,1978年晉升為副教授,1981年晉升為教授。曾先後任浙江大學電機系實驗室主任、無線電系半導體材料與器件教研室副主任、材料科學與工程系副主任、半導體材料研究室主任、半導體材料研究所所長、浙江大學副校長、校務委員會副主任等職。

闕端麟忠誠人民的教育事業,在教育戰線上辛勤耕耘,培養了一大批社會主義事業傳人。浙江大學是我國最早開辦半導體材料與器件專業的學校之一,闕端麟是開辦該專業的最主要骨幹教師之一,為該專業的建設和發展做出過重要貢獻。他先後為大學部生、研究生開設了電工材料、半導體材料、半導體專論、真空技術、半導體物理、近代物理基礎等10多門課程,其中多門課程都是在沒有教科書,甚至沒有系統參考書的情況下,由他首先收集資料開出的。闕端麟由于基礎扎實、知識面寬、根底深厚,講課深入淺出,理論聯系實際,語言精練而生動,得到學生好評。他註重理論聯系實際,有很強的實驗技能,在教學過程中一貫重視培養學生實踐和實驗能力。在他的指導下,研究生都能較早深入實驗室和工廠參加課題討論、實驗和生產實踐,並從中選擇畢業論文課題,往往收到很好效果,大多數研究生的論文都有較高的學術水準和套用價值。在闕端麟的言傳身教訓練下,他的學生都有較強的科研實驗能力。許多學生已成長為各單位業務骨幹和領導。

闕端麟是我國自己培養的專家,他深信在中國的土地上能夠做出自己的貢獻。幾十年的攀登拼搏,換來了一項又一項成果、發明,為中國人爭了光。在科研道路上闖過了坎坎坷坷的闕端麟深深體會到,自力更生精神在科技工作中的體現,不僅僅是艱苦奮鬥,它更深刻的含義在于利用中國現有條件,去爭取高水準的成果。他對前人的經驗和結論並不盲從,而是獨立思考,批判地吸收,從而有所發現、有所創造、有所前進。

1954年,他開始從事溫差電材料的研究,跨入了半導體材料這一新興學科,試製成我國第一台溫差發動機。1959年轉向矽材料的研究。

1964年在國內首先用矽烷法製成純矽,隨後在浙江大學組成了擴大的研究課題組,于1970年完成了高純矽烷及多晶矽生產的成套技術研究,工藝簡單,流程短,易于保證高純度,是我國生產高純矽烷的主要方法,該成果獲國家發明獎三等獎。他首次為國內提供了電子工業急需的純矽烷氣體;負責並領導了極高阻矽單晶的研製,並成功地研製出了探測器級矽單晶、P型電阻率高達100KCM的矽單晶,達到國際水準。在矽單晶電學法測試方面,他進行了新的測試方法和理論研究,提出了雙頻動態電導法和間歇加熱法測試矽材料導電型號;發展了紅外光電導衰減壽命測試技術和理論,創立並首先發表了高頻單色光電導法壽命測試的表面修正公式。他主持研製生產儀器的技術指標大大超過同類進口儀器水準,使矽單晶工業產品壽命測試儀全部國產化,該成果獲國家發明獎三等獎。20世紀80年代是闕端麟在科研上豐收的時期,除高純矽和測試技術、測試儀器外,還在矽晶體生長技術方面取得了實質性進展,"氮保護氣氛直拉矽單晶"的研究成功,打破了國外同行專家"不可能採用氮氣做保護氣氛拉製矽單晶"的結論,取得了6項發明專利,經濟效益和社會效益十分顯著。"減壓充氮直拉矽單晶技術"被《科技日報》評選為我國1987年10項重大科技成果之一,1988年該成果又在布魯塞爾舉行的第37屆尤裏卡世界發明博覽會上獲金牌獎;1989年獲國家發明獎二等獎。

他在研究工作中有兩個特色:一是在選題上有自己獨到的見解;二是他一貫重視科研與生產的緊密結合,將科研成果轉化為生產力。

確定研究方向、選擇研究課題在科研工作中具有極其重要的作用,它關系到能否取得高水準成果、能否有發展前途。闕端麟在確定研究方向和選題時所遵從的原則是:既要尋找有發展前途的高水準課題,又要照顧到本單位乃至我國所具備的實際條件,量力而行。20世紀70年代,他經過深思熟慮,由研究溫差電材料,轉而選擇了量大面廣、性能優良的矽材料作為研究方向,邁出了關鍵的一步;30多年後,他在浙大建成了以高純矽材料為特色的國家重點實驗室。他認為,科學研究不能"人雲亦雲"、"湊熱鬧",搞低水準的重復。在了解和研究前人及同時代人工作的基礎上,必須要有自己的思想和獨特的技術思路,才會有所建樹。這些思想促使他選題方向正確,且富有創造性,往往取得顯著成果。

闕端麟不僅一直非常重視科研與生產相結合,而且積極主張努力發展校辦產業,他的多項成果一經鑒定就直接轉入浙江大學半導體廠生產,工廠所創造的經濟效益又用來支持學科和實驗室建設,形成了生產與學科建設緊密結合的思路。在此思路的指導下,半導體廠發展很快,1995年國務院發展研究中心授予半導體廠"中華之最"榮譽稱號。

在建設浙江大學半導體材料學科過程中,闕端麟帶領一班人四處奔波,尋求支持,苦心經營,經過了由小到大、由"土"變"洋"的漫長道路。闕端麟是國內較早開始半導體材料研究的學者之一。闕端麟作為高純矽國家重點實驗室學術帶頭人、浙江大學半導體材料專業創始人,他的業績不僅是上述教學研究成果和發明,還具有可貴的創業精神。他苦心經營,把幾個人的科研小組發展成集教學、科研、生產于一體的近百人的集體,建立了一支老中青相結合的學術梯隊,創立了擁有數億元固定資產的基地,為學科的發展奠定了堅實的基礎。浙江大學半導體材料學科是國務院學位委員會批準的第一批碩士學位授予點和第一個半導體材料工學博士學位授予點,1988年又被評定、批準為國家教委重點學科。1985年國家計委批準在浙江大學建設高純矽國家重點實驗室,1987年建成並對外開放。它具備了較好的從事半導體材料和半導體器件教學、研究的條件,已成為培養高質量人才、出高水準成果的基地。

1951年畢業于廈門大學電機系,畢業後留校任教。

1953年調浙江大學工作至今。

1954年在國內開始從事溫差電材料的研究,跨入了半導體材料這一新興學科。

1959年開始矽材料研究工作。

1964年在國內首先用矽烷法製成純矽及高純矽烷;負責並領導了極高阻矽單晶的研製,並成功地研製出探測器級矽單晶。在矽單晶電學測試方面,進行了新的測試方法和理論研究,提出了雙頻動態電導法和間歇加熱法測試矽材料導電型號;發展了單色紅外光電導衰減壽命的測試技術和理論,研製生產了儀器,使矽單晶工業產品壽命測試儀全部國產化。

20世紀80年代,首先提出用氮作為保護氣直拉矽單晶技術,生產出優質低成本矽單晶,開闢了微氮直拉矽單晶基礎研究工作。

1991當選為中國科學院院士(學部委員)。

在國內首先開展矽烷法提純矽的研究,領導研究成功以分子篩吸附生產高純矽的方法。提出氮氣保護直拉矽單晶技術,1986年獲國家發明專利。

主要成就

科學研究

長期從事半導體材料研究工作,在國內首先開展用矽烷法製備純矽,駐高純矽烷的研究。負責並領導高純極高阻矽單晶的研製,成功地研製出極高阻控測器級矽單晶。在矽單晶電學測試方面,提出雙頻動態電導法和間歇加熱法矽單晶導電類型判別技術。發展了單色紅外光電導衰減壽命測試技術和理論,使矽單晶工業產品壽命測試儀全部國產化,首先提出用氮作為保護氣直拉矽單晶技術。沖破長期以來認為氮與矽在高溫下發生化學反應的思想束縛,生產出優質低成本矽單晶。促進並領導CZ--矽中氮雜質基礎研究的開展。

論文著作

發表的重要論文50餘篇。獲中國發明專利權8項。

社會任職

闕端麟曾先後任浙江大學電機系實驗室主任、無線電系半導體材料與器件教研室副主任、材料科學與工程系副主任、半導體材料研究室主任、半導體材料研究所所長、浙江大學副校長、校務委員會副主任等職。

闕端麟在政府和學術團體中擔任的專業職務主要有:浙江省自然科學基金委員會副主任、浙江省學位委員會副主任、浙江省人民政府經濟建設咨詢委員會委員、中國電子學會電子材料學會專業學會第二屆副主任委員、浙江省電子學會第三屆副理事長、國務院第二屆、第三屆學位委員會非金屬材料學科評議組成員、國家科委發明委員會特邀評審員、國家自然科學基金委員會半導體學科評審組成員、中國發明協會理事、九三學社浙江省第一屆副主任委員等;現任主要職務:九三學社中央常委、浙江省委主任委員,浙江省政協副主席。闕端麟是第六屆全國政協委員。

獲獎記錄

"全分了篩吸附法提純矽烷"獲1980年國家發明三等獎;"高額109/m紅外光電 導衰減矽單晶少子壽命測試儀"獲1988年國家發明三等獎;"減壓充氮直拉矽單晶技術獲1989年國家發明二等獎。

闕端麟主持研製生產儀器的技術指標大大超過同類進口儀器水準,使矽單晶工業產品壽命測試儀全部國產化,該成果獲國家發明獎三等獎。

20世紀80年代是闕端麟在科研上豐收的時期,除高純矽和測試技術、測試儀器外,還在矽晶體生長技術方面取得了實質性進展,"氮保護氣氛直拉矽單晶"的研究成功,打破了國外同行專家"不可能採用氮氣作保護氣氛拉製矽單晶"的結論,取得了6項發明專利,其經濟效益和社會效益十分顯著。

"減壓充氮直拉矽單晶技術"被《科技日報》評選為我國1987年10項重大科技成果之一,1988年該成果又在布魯塞爾舉行的第37屆尤裏卡世界發明博覽會上獲金牌獎;1989年獲國家發明獎二等獎。 八十年代他研究發展了單色紅外光電導衰減矽少子壽命測試儀並在各大學及工廠推廣套用。該成果于1988年獲國家發明三等獎。他首創減壓充氮直拉矽單晶技術,取得中國發明專利7項,該成果于1989年獲國家發明二等獎。他領導的研究小組在摻氮直拉矽單晶的研究方面又取得了重要進展,發表的重要論文50餘篇。為我國矽材料的發展作出了重要貢獻。

1956年,闕端麟被評為浙江大學先進工作者,1983年被評為浙江省五講四美為人師表優秀教師,1986年被評為國家級有突出貢獻的中青年專家,1988年獲浙江省勞動模範稱號,1990年被評為全國高等學校先進科技工作者,同年獲全國"五一"勞動獎章。

工作特色

闕端麟在研究工作中有兩個特色:一是在選題上有自己獨到的見解;二是他一貫重視科研與生產的緊密結合,將科研成果轉化為生產力。?

闕端麟闕端麟

確定研究方向、選擇研究課題在科研工作中具有極其重要的作用,它關系到能否取得高水準成果、能否有發展前途。闕端麟在確定研究方向和選題時所遵從原則是:既要尋找有發展前途的高水準課題,又要照顧到本單位乃至我國所具備的實際條件,量力而行。30多年前,他經過深思熟慮,由研究溫差電材料,轉而選擇了量大面廣、性能優良的矽材料作為研究方向,邁出了關鍵的一步;30多年後的今天,在浙大建成了以高純矽材料為特色的國家重點實驗室。他認為,科學研究不能"人雲亦雲"、"湊熱鬧",搞低水準的重復。在了解和研究前人及同時代人工作的基礎上,必須要有自己的思想和獨特的技術思路,才會有所建樹。這些思想促使他選題方向正確,且富有創造性,往往取得顯著成果。

在建設浙大半導體材料學科過程中,闕端麟帶領一班人四處奔波,尋求支持,苦心經營,經過了由小到大,由"土"變"洋"的漫長道路。闕端麟是國內較早開始半導體材料研究的學者之一。闕端麟作為高純矽國家重點實驗室學術帶頭人,浙江大學半導體材料專業創始人,他的業績不僅是上述教學研究成果和發明,還具有可貴的創業精神。他苦心經營,把幾個人的科研小組發展成集教學、科研、生產于一體的近百人的集體,建立了一支老中青相結合的學術梯隊,創立了擁有數億元固定資產的基地,為學科的發展奠定了堅實的基礎。浙江大學半導體材料學科是國務院學位委員會批準的第一批碩士學位授予點和第一個半導體材料工學博士學位授予點,1988年又被評定、批準為國家教委重點學科。1985年國家計委批準在浙江大學建設高純矽國家重點實驗室,1987年建成並對外開放。它具備了較好的從事半導體材料和半導體器件教學、研究的條件,已成為培養高質量人才、出高水準成果的基地。

人物評價

辛勤園丁

闕端麟教授學識淵博,誨人不倦,平易近人,師德高尚,他愛黨愛國,刻苦攻關,碩果累累。闕端麟忠誠人民的教育事業,40多年來在教育戰線上辛勤耕耘,培養了一大批社會主義事業傳人。浙江大學是我國最早開辦半導體材料與器件專業的學校之一,闕端麟是開辦該專業的最主要骨幹教師之一,為該專業的建設和發展做出過重要貢獻。他先後為大學部生、研究生開設了"電工材料"、"半導體材料"、"半導體專論"、"真空技術"、"半導體物理"、"近代物理基礎"等10多門課程,其中多門課程都是在沒有教科書,甚至沒有系統參考書的情況下,由他首先收集資料開出的。闕端麟由于基礎扎實、知識面寬、根底深厚,講課深入淺出,理論聯系實際,語言精煉而生動,得到學生好評。他註重理論聯系實際,有很強的實驗技能,在教學過程中一貫重視培養學生實踐和實驗能力。在他的指導下,研究生都能較早深入實驗室和工廠參加課題討論、實驗和生產實踐,並從中選擇畢業論文課題,往往收到很好效果,大多數研究生的論文都有較高的學術水準和套用價值。在闕端麟的身教言傳訓練下,他的學生都有較強的科研實驗能力。許多學生已成長為各單位業務骨幹和領導。?

闕端麟(左)闕端麟(左) 闕端麟闕端麟

科研與生產相結合

闕端麟不僅一直非常重視科研與生產相結合,而且積極主張努力發展校辦產業,他的多項成果一經鑒定就直接轉入浙江大學半導體廠生產,工廠所創造的經濟效益又用來支持學科和實驗室建設,形成了生產與學科建設緊密結合的思路。在此思路的指導下,半導體廠發展很快,1995年國務院發展研究中心授予半導體廠"中華之最"榮譽稱號。?

自力更生

闕端麟是我國自己培養的專家,他深信在中國的土地上能夠做出自己的貢獻。幾十年的攀登拼搏,換來了一項又一項成果、發明,為中國人爭了光。在科研道路上闖過了坎坎坷坷的闕端麟深深體會到,自力更生精神在科技工作中的體現,不僅僅是艱苦奮鬥,它更深刻的含義在于利用中國現有條件,去爭取高水準的成果。他對前人的經驗和結論並不盲從,而是獨立思考,批判地吸收,從而有所發現、有所創造、有所前進。

闕端麟闕端麟

創新意識

闕院士通過大量生動的例子闡明了近現代科學的迅猛發展對人類社會的影響,並提出了研究生培養的重點是創新意識。他說,"創新是科技工作者的天職"對于創新的方法和關鍵,闕院士認為,創新不一定是從無到有,而是站在巨人的肩膀上攀登,要求科技工作者繼承與創新並重,在掌握現有知識體系的基礎上,善于發現,勤于思考,才能有所創新。

在各種科學技術蓬勃發展的今天,創新也趨于多樣化。闕老指出,那些公認的問題、實驗的新發現、學科的交叉移植及理論的新突破都是創新的焦點。並且,實驗的思考和論文的綜述十分重要,隻有理論與實踐緊密結合,並時時關註學科的發展,才會找到自己的創新之路。

闕先生是著名的科學家,中科院院士,是國內較早開始半導體材料研究的學者,也是浙江大學半導體材料專業的創始人。在半導體材料的研究領域,他拼搏攀登幾十年,取得一系列舉世矚目的開創性成就,為國人爭了光。作為我國自己培養的科學家,他始終堅信在中國的土地上能夠做出自己的貢獻。即使是在"文革"那樣的非常時期,他也沒有放棄這個信念,正是在1970年,他帶領的課題組完成了高純矽烷及多晶矽生產的成套技術研究。這套技術成為我國此後數十年生產高純矽烷的主要方法。闕先生無疑是人中之傑,但他始終都是平易近人的。先生發言,從來不拿腔拿調,一貫都是突出重點,言簡意賅,從不拖泥帶水。這大概也是他科學家氣質的一部分。與闕先生有過一定接觸的人,都覺得他身上有一種特別的人格魅力。這魅力從未被院士稱號的光環和各種頭銜所掩蓋。它是從先生的內心深處散發出來的。有人把這樣一種魅力概括為"正直與無私"。先生以他一生的為人,為"有容乃大,無欲則剛"這句格言作了生動的註解。(全國人大常委、浙江省人大常委會副主任、九三學社浙江省委主委姒健敏評)

人物故事

1957年,"發展半導體事業"被列入新中國第一個十二年科學發展規劃,全國不少高校開始創辦半導體材料方面的專業。浙江大學是國內最早開辦工科半導體材料與器件的學校之一。闕端麟是浙大半導體材料與器件專業的主要創始人,由此專業發展而來的半導體材料學科,在上世紀八九十年代曾經是國內半導體材料學科中唯一的國家重點學科,是我國最早的半導體材料工學碩士點、博士點。依托學科建立的"矽材料國家重點實驗室",為1985-86年國家計委批準建設的第一批國家重點實驗室之一。

伴著瀟瀟春雨,記者如約來到求是村闕端麟院士家。待得上樓,闕先生早已在迎候。耄耋之年的闕先生眼神明亮,精神矍鑠,他親切地招呼記者坐下,並為記者泡上一杯茶。在氤氳的茶香中,闕先生答復了記者對往事的追溯。

1953年院系調整時,闕端麟被調到浙江大學工作。作為電機系的一名教師,他一開始並未從事半導體方向的研究。當時闕端麟為學生開設了一門新課:《電工材料》,其中包括了半導體的內容。在教學研究過程中,他覺得半導體材料是一個新的研究方向,于是在到浙大後的次年,便開始研究半導體溫差材料,不久就研製成功了我國第一台溫差發動機。當時,國際上對半導體材料---矽的研究也在開始階段。經過分析思考,闕端麟選擇了矽材料作為研究方向。在今天矽材料是電子工業的基礎材料,是產量最大、用途最廣的半導體材料。一個國家的矽材料研究、開發和產業水準,是它的電子工業發展水準的標志之一。

矽是地球上很豐富的元素,但是,研究半導體矽材料的初時,首先需要提純矽得到高純度矽。1959年,闕端麟開始探索提純矽烷及製備高純矽技術。製備高純矽有多種方法,之所以選擇矽烷法,原因之一是這種方法製備的純度最高;原因之二是這種方法國內還沒有人在研究,盡可能避免重復其他方法的研究;原因之三是因為這種方法相對而言實驗條件在當時比較適合浙大的許可。闕端麟認為這種方法在浙大是最切合實際的,最有可能成功的。但是,這種方法卻是比較危險的,因為矽烷容易發生爆炸。事實上,在實驗過程中,爆炸了不下十幾二十次,闕端麟的一隻手掌心就曾被炸開一個口子,縫了三針。到底爆炸了幾次,倒沒確切統計了,當時忙著記錄統計的是一個個實驗的資料。"闕端麟笑著說。由于經費有限,當時很多實驗儀器就靠自己動手做,闕端麟自己還吹製玻璃製品等零件。為了防止實驗中爆炸傷人,用鐵絲網把實驗設備罩起來。

然而四、五年時間過去了,矽單晶製備技術上卻沒有取得突破。面對資金緊張、設備簡陋、矽烷容易爆炸等重重困難,闕端麟和課題組為什麽沒有放棄呢。他說,一步步地改進實驗方法,在實驗中雖然失敗但感到一步步地逼近成功一次次地看到曙光。1964年,終于在實驗室取得高純矽單晶。

之後的"文革"期間,浙大組織了擴大的研究組,完成了浙大矽烷法成套工業生產設備研究。矽烷法至今為止仍是我國生產高純矽烷的方法。闕端麟說,1968年浙大生產的高純矽烷氣就已經供應市場了,高純矽烷氣是一種重要的電子工業特氣。隨後闕端麟帶領課題組積極參與國家"六五"攻關,又取得了高阻探測器級矽單晶的成功。

此外、闕端麟研究發展了單色紅外光電導衰減矽少子壽命測試儀;研究成功減壓充氮直拉矽單晶技術,領導他的團隊進入新的研究領域。

闕端麟始終非常重視科研與生產相結合。他的科研成果一經鑒定就直接用于社會生產,所創造的經濟效益又用來支持學科和實驗室建設。學科擁有的生產基地是國內業界龍頭之一,同時也是研究和開發半導體材料、培養相關高級專門人才的基地。

遺體告別

九三學社原中央常委、浙江省主委,我國著名半導體材料專家、中國科學院院士、浙江省政協原副主席、省科協原主席、原浙江大學副校長、教授闕端麟先生遺體告別儀式,于2014年12月22日上午在杭州舉行。

闕端麟先生住院、病重期間及逝世後,黨和國家領導人習近平、李克強、張德江、俞正聲、劉雲山、張高麗,胡錦濤、李鵬、溫家寶、吳官正,以及劉延東、趙樂際、趙洪祝、楊晶、沈躍躍、韓啓德、路甬祥,中央和國家機關領導袁貴仁、白春禮、潘雲鶴、楊衛、呂祖善、周國富等,省領導夏寶龍、李強、喬傳秀等,老同志李澤民、沈祖倫、萬學遠、柴松岳、王家揚、商景才、劉楓、李金明等,浙江大學領導金德水、林建華以及50餘名兩院院士等前往醫院看望、慰問家屬或以不同方式表示哀悼。

參加遺體告別儀式並獻花圈的有:喬傳秀、鄭繼偉,王啓東、孫家賢、陳法文、吳仁源、薛艷庄、耿典華、汪希萱、程煒、李青、馮培恩、張浚生、張曦等部分老同志,林建華等校領導,汪槱生、沈之荃、韓禎祥等兩院院士,以及各界幹部民眾、闕端麟先生生前友好共400餘人。中共中央組織部、統戰部、教育部、科技部、中國科學院、國務院學位委員會、中國科協、國家自然科學基金委、九三學社中央,中共浙江省委、省人大常委會、省政府、省政協,省紀委、省委組織部、省委人才工作領導小組辦公室、省委宣傳部、省高級人民法院、省人民檢察院、九三學社浙江省委、省教育廳、省科技廳、省人力社保廳、省總工會、省科協、省工商聯、省自然科學基金委等,北京大學、清華大學、廈門大學、中國科學院半導體研究所等兄弟高校和科研院所,以及闕端麟先生家鄉送了花圈、花籃或發來唁電、唁函。

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