鄭有炓

鄭有炓

鄭有炓(1935年10月1日-),福建大田人。

1957年畢業于南京大學物理系,2003年當選為中國科學院院士,現任南京大學物理系教授。

發現鍺矽合金應變誘導有序化新結構,提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物異質結構極化、二維電子氣及其相關性質。

從事新型半導體異質結構材料與器件研究。在鍺矽、Ⅲ族氮化物異質結構研究中,發展了生長鍺矽、Ⅲ族氮化物異質結構材料的光輻射加熱方法和新技術。基于鍺矽、Ⅲ族氮化物極化能帶工程,發展了多種新器件。曾獲國家發明專利31項,國家自然科學二等獎1項,國家技術發明三等獎1項等。

  • 中文名稱
    鄭有炓
  • 國籍
    中華人民共和國
  • 出生地
    福建大田
  • 出生日期
    1935年
  • 職業
    教授
  • 畢業院校
    南京大學

個人簡介

鄭有炓,1935年9月生,籍貫福建大田,1957年南京大學物理系(北京大學等五校聯合半導體專業)畢業。1984-1986年美國紐約州立大學(布法羅)訪問教授。享受國務院特殊津貼,2003年當選中國科學院院士,2012年07月20日應邀出任世界客屬第二十五屆懇親大會首席"城市驕傲"形象大使

鄭有炓鄭有炓

現任南京大學物理系教授。從事新型半導體異質結構材料與器件研究。在鍺矽、Ⅲ族氮化物異質結構研究中,發展了生長鍺矽、Ⅲ族氮化物異質結構材料的光輻射加熱方法和新技術。基于鍺矽、Ⅲ族氮化物極化能帶工程,發展了多種新器件。提出並實現了鐵電體/氮化鎵、鐵磁體/半導體異質結構新體系。發現鍺矽合金應變誘導有序化新結構,提出新模型。揭示Ⅲ族氮化物異質結構極化、二維電子氣及其相關性質。觀測到碲化鎘/銻化銦異質結構二維電子氣及佔據子帶規律,開拓II-VI/III-V族異質體系二維電子氣研究領域。提出基于鍺矽技術實現二氧化矽/矽介面量子限製矽納米結構。2003年當選為中國科學院院士。

先後11次赴美、德希臘、荷蘭等國參加國際學術交流活動和訪問。現任南京大學物理系教授、博士生導師,中國科學院院士,國家重點基礎研究發展計畫信息科學領域專家咨詢組成員、國家自然科學基金委員會信息科學部專家咨詢委員會委員。長期致力于新型半導體異質結構材料與器件物理研究,領導建立半導體異質結構研究實驗室,主持多項國家重大科研任務,迄今發表論文356篇,SCI收錄155篇,SCI引用論文437篇。在南大培養造就了一支輕學術梯隊,教授博導6人(包括長江特聘教授1人),獲國家傑出青年基金3人,獲"2001年全國優秀博士學位論文獎"1人。

人物新聞

2006年5月15日,由深圳中國科學院院士活動基地和深圳市教育局共同組織,在深圳市電子技術學校舉辦了院士報告會。邀請中國科學院院士、南京大學物理系鄭有炓教授以"當代信息高科技的挑戰"為主題作了專題報告。深圳市電子技術學校院副院長歐陽文偉主持報告會,電子技術學校全體教師及優秀學生代表200餘人聆聽了報告。

報告內容

鄭有炓院士的報告,從三個部分深入淺出的介紹了"當前飛速發展的信息高科技、信息化與信息社會內涵及如何面對當代信息高科技的挑戰"。鄭院士還闡述了"百年電子技術發展史到微電子學電腦誕生,光通信技術,微波無線通信及顯示與照明技術"等。鄭院士指出,面對當今的知識經濟,高技術蓬勃發展的信息社會時代,科技發展日新月異,知識更新周期越來越短。我們必須努力培養提高自己的科技貭素,樹立正確地世界觀,科學發展觀和嚴謹,求實的科學精神。

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放眼高科技蓬勃發展的信息社會,學好基礎知識,勇于參加科學實踐,一步一個腳印,為中華民族的偉大復興,為早日進入小康社會作出貢獻。

鄭院士用生動實翔的例子,將一個一個深奧的科學理論和技術講得十分通俗易懂,台下觀眾不時報以熱烈的掌聲。2008年6月18日,中國科學院院士、南京大學物理系鄭有炓教授和中國科學院院士、中國科技大學物理系俞昌旋教授應邀蒞臨我院訪問和指導工作。醫學光電科學與技術教育部重點實驗室學術委員會常務副主任謝樹森教授、翁祖雄書記、陳榮副院長和李步洪副院長等向來訪的兩位院士簡要匯報了我院在重點學科、重點實驗室和學位點建設,以及人才培養和引進等方面情況。接著,兩位院士饒有興趣地參觀了教育部重點實驗室,他們對實驗室近年來所取得的成績給予了高度的評價,同時也對實驗室今後的發展提出了建設性的意見。

刻苦鑽研

憑著吃苦耐勞的精神和對科學的向往,鄭有炓從閩南山區考到了金陵古都,就讀于南京大學物理系。1956年,國家出台"十二年科學遠景規劃",致力于發展半導體、原子能、電腦等新科學技術,因此北大、南大、復旦等五所高校聯合舉辦半導體專業,大學三年級的他被選拔到北大讀書。畢業後,又在中國科學院進修了一年。

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1958年,鄭有炓和幾位同事回到南京大學,在吳汝麟、熊子舤兩位老教授的帶領下,努力創辦物理系半導體專業。四十多年來,他的生命軌跡就和南大半(下轉第四版)(上接第一版)導體專業的發展緊緊交織在一起。

研究半導體

多年來雖然國家一直倡導半導體研究,但真正與國際接軌一直到了改革開放以後。從80年代初開始,鄭有炓致力于新型半導體異質結構材料與器件研究。1984年,他獲得一個機會到美國紐約州立大學(布法羅)任訪問學者,開始進行半導體科學前沿高科技研究,使他開闊了視野。回國後,經過和同事、學生的多方討論,他決定開展國際上剛剛萌芽的鍺矽異質結構材料研究。

高技術領域

轉向高技術領域,當然離不開高精尖的儀器設備。80年代國家科研經費短缺,雖然國外有好的設備,當時就值100多萬美元,加上巨額的運轉費,買不起也用不起。面對幾乎一窮二白的硬體條件,憑借創新的點子和一腔熱情,科研工作硬是拉開了序幕。鄭有炓和年青教師、學生一起,總結當時半導體所用的新技術,發展了鍺矽異質結構材料光輻射加熱超低壓CVD生長方法,自己設計、利用南京工廠的加工條件,竟然用超低的十多萬元經費,研製出一套電腦控製的生長設備,製備出優質鍺矽異質結構材料。

事實證明,鄭先生當初的決斷是正確的,十多年過去了,鍺矽異質結構材料依然是當前半導體研發的熱點

科研工作首戰告捷,鄭有炓信心更足了。他緊抓住半導體科學技術發展的前沿熱點,既有重要的科學意義,又有技術套用價值。結合承擔的國家863計畫、攀登計畫、973項目及國家自然科學基金等科研任務,他帶領研究組師生開展一系列研究,在鍺矽、Ⅲ族氮化物和氧化鋅寬頻隙半導體研究領域裏,支撐起一片屬于南大、屬于中國的天地。在鍺矽、Ⅲ族氮化物異質結構研究中,發展了生長鍺矽、Ⅲ族氮化物異質結構材料的新方法、新技術,從極化能帶級帶工程出發,創新發展了多種新器件;提出並實現了鐵電體/氮化鎵、鐵磁體/半導體異質結構新體系;發現鍺矽合金應變誘導有序化新結構,提出新模型;揭示Ⅲ族氮化物異質結構極化、二維電子氣及其相關性質;

鄭有炓鄭有炓

觀測到碲化鎘/銻化銦異質結構二維電子氣及佔據子帶規律,開拓Ⅱ-Ⅵ/Ⅲ-Ⅴ族異質體系二維電子氣研究領域;提出基于鍺矽技術實現二氧化矽/矽介面量子限製矽納米結構。

教書育人

在開展科學研究的同時,鄭有炓從未間斷過教書育人的工作。他相信隻有培養更多的青年英才,才會使科學研究薪火相傳。十多年來,他努力建立起一支學術梯隊。培養年輕教授6人,包括長江特聘教授1人,博導6人,國家傑出青年基金3人,培養了一大批碩士生、博士生,其中1人獲2001年全國優秀博士學位論文獎。他本人則多次獲江蘇省"優秀學科帶頭人"、"優秀高校教師"和"優秀科學工作者"榮譽。

善待學生

鄭有炓形容他們的研究組就像一個平等的大家庭,倡導的是科學民主的氛圍,他說:"我在科研中把握好前沿方向,剩下的,就要充分調動年輕人的積極性"。

鄭有炓待人一向很客氣,那麽多年,沒有跟別人紅過臉。即使對學生,他也抱著尊重愛護的態度。

學生遇到實驗事故,把儀器燒壞了。鄭有炓安慰他們:"不用怕。工作就要大膽去做,把儀器抱在懷裏,怎麽出成果?"

學生出國深造了,他總是高高興興地送他們走。鄭有炓說:"我主張他們多出去看看。現在國內科研有經費,有奔頭,不比國外差,我安心地放飛,他們回來會發揮更大作用"。事實證明,他的研究組年輕教師如願地個個成為學術骨幹,成為敢于和善于攀登科技高峰的闖將。

愛人者,人恆愛之。前幾天公布新增院士評選結果時,遠在異國他鄉的學生們紛紛發來了賀信賀電。在瑞典皇家工學院工作的王永賓同學最早發來了賀信,並在EMAL中發來了78級半導體專業畢業生精心製作的賀卡。望著賀卡中學生們一張張今昔對應的臉龐,鄭有炓由衷地感到了一種幸福!

"我喜歡物理。"年少時的興趣使鄭有炓走上了科研道路。然如果沒有過人的毅力,這條科研之路不會走得那麽遠。文革期間,他被下放到溧陽,在半導體工廠車間工作。他感到很"幸運":"好了,總算搭著專業的邊,還可以訓練動手能力。"在美國任訪問學者期間,他全力以赴地撲在科研上,以至有同學不解地問:"鄭老師,你都是教授了,怎麽還跟學生那樣一天到晚鑽在實驗室呢?"

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回國自己搞科研,還要教學,為了實驗資料,常常幾天幾夜不睡覺,從實驗室裏出來喘口氣,再晚也得把明天上課的教案備好。

歲至晚年,他還堅持學會了使用電腦,學術報告、科研論文,都是自己編排列印完成。

屈指算來,鄭先生也已年近古稀,身邊的老同事早一一退休了。68歲當選院士,一個新的人生平台又展現在眼前。鄭先生動情地說:"感謝多年來學校和課題組的支持,我會繼續發揮我的能量,為學校發展獻計獻策,為我們的課題組多作一些貢獻。"

面對這樣一位慈祥智慧、藹如春風的長者,我想,誰都會衷心祝福他--願先生一曲晚唱更動人。

學術論文

1、測量MOS結構介面特徵的變頻C-V法,南京大學學報,vol.26,no.2,212,1990

2、測量金屬-半導體介面態的肖特基電容譜技術,電子測量與儀器學報,vol.3,no.1,12,1989

3、GaInAs/Al2O3的介面研究,半導體學報,vol.10,no.10,1989

4、N-溝增強型InPMISFET研究,半導體學報,vol.9,no.3,1988

5、導電聚合物P3MT的熒光譜,物理學報,vol.37,no.3,1988

6、聚乙炔半導體熱激電流譜研究,半導體學報,vol.9,no.6,1988

7、電腦控製和處理的深能級瞬態譜研究,電子學保,vol.16,no.4,1988

8、GaInAs/InP異質結二維電子氣,半導體學報,vol.8,no.5,1987

9、PECVDSiO2-InPMIS結構研究,固態電子學研究與進展,vol.7,no.3,1987

10、註矽InP的包封與無包封熱退火,固態電子系研究與進展,vol.7,no.1,198711、SiO2/InPMIS結構介面態和體深能級研究,南京大學學報,vol.22,no.4,1986

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12、PECVDSiO2/InP結構的AES和XPS分析,南京大學學報,vol.22,no.4,1986

13、分子束外延生長CdTe/InSb異質結輸運性質研究,半導體物理與教學,p.209,1986

14、用橢偏光學方法研究GeSi超晶格結構,半導體學報,1992

15、GaAs/Si異質外延的新進展,,vol.11,no.4,324,1991

16、GeSi/Si異質界喔故的近紅外吸收光譜測量,半導體光電,vol.12,no.4,399,1991

17、RRH/VLP-CVD低溫外延矽薄膜電學性質,半導體學報,vol.12,no.7,1991

18、用橢偏光學方法研究GexSi1-x/Si超晶格結構,半導體學報,1992

19、Ga0.47In0.53As/SiO2與Ga0.47In0.53As/Al2O3的介面性質,半導體學報,vol.10,no.10,1989

20、PhononPartic:pationinthelightemissionprocessofPorousGeSilayer,Chinesephys.Lett.,vol.10,no.5,1993

21.、hestructureandpropertyofSiGe/Siquantumwells,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

22、RamanscatteringspectroscotyofGeSi/Sistrainedlayersuperlattice,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

23、NovelPhotocurrentResponefoaporoussilicon,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

24、PhaseformationandGesegregationinthethremalreactionbetweenPtandGeSi/SiHetewostructure,1993Materialsresearchsocietyspringmeeting,SanFrancisco,1993

25、鍺矽基區異質結雙極型電晶體(GeSi-HBT)的研製,固體電子學研究與進展,vol.12,no.4,1992

26、鍺矽應變層超晶格生長研究,物理學進展,no.1,1993

27、SiGe/Si應變層超晶格量子阱微結構材料的生長與摻雜技術,鍺矽應變層超晶格材料與器件套用(國家科委信息領域辦,863光電子主題專家組出版)

28、SiGe/Si應變層超晶格量子阱材料的最佳化設計及新器件的發展展望,鍺矽應變層超晶格材料與器件套用(國家科委信息領域辦,863光電子主題專家組出版)

29、StudyofGemovementduringthermalreactionsbetweenPtandGe/Siheterostructures,Appl.phys.lett,vol.62,no.25,1993

30、Si基GaN的微結構表征,光散射學報.2003,15(4)

31、用MOCVD方法製備的GaN1-xPx三元合金的喇曼與紅外光譜,半導體學報.2004,25(1)

32、耦合雙量子點中基態電子的隧穿特徵,半導體學報.2004,25(1)

33、p溝道鍺/矽異質納米結構MOSFET存儲器及其邏輯陣列,半導體學報.2004,25(2)

34、InfluenceofPolarizationEffectsontheEnergyBandofAlGaN/GaN/AlGaNHeterostructures,ChinesePhysicsLetters(中國物理快報:英文版).2004,21(4)

35、AlGaN/GaN異質結構歐姆接觸的研製,固體電子學研究與進展.2004,24(1)36、藍寶石襯底上6H-SiC單晶薄膜的化學氣相淀積生長,功能材料.2004,35(2)

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37、Zn1-xMgxO薄膜的低壓MOCVD生長與性質,半導體學報.2004,25(7)

38、ZnO納米島的MOCVD自組裝生長,半導體學報.2004,25(7)

39、GaNGrowthwithLow-TemperatureGaNBufferLayersDirectlyonSi(111)byHydrideVapourPhaseEpitaxy,ChinesePhysicsLetters(中國物理快報:英文版).2004,21(9)

科研項目

1、1991-1995,負責國家八六三計畫項目"GeSi超晶格材料與套用"

2、1991-1995,負責國家重大基礎研究項目"GeSi超晶格材料生長、物性和器件開發"

3、1992-1994,負責國防科工委項目"GeSi紅外探測器"

4、1992-1994,負責國家自然科學基金項目"GeSi基區異質結電晶體研究"

5、1991-1995,負責省科委項目"GeSi材料與器件研究開發"

6、1991-1992,負責省科委項目"新型GeSi紅外探測器研究"

7、1993-1995,負責國家高技術863計畫項目"應變層結構GeSi/Si的穩定性及其改善對策研究"

8、1993-1995,負責國家高技術863計畫項目"GeSi/Si異質結構材料生長研究"

9、1993-1995,指導國家教委博士點基金項目"GeSi/Si超晶格材料表征研究"

10、1993-1995,指導南京大學基金項目"GeSi/Si超晶格選擇外延研究"

11、1993-1995,負責江蘇省科委項目"新型GeSi材料與器件研究開發

科研成果

1、1991.6,"快速輻射加熱,超低壓化學氣相淀積原子級外延方法與系統"通過國家科委鑒定

2、1990,"半導體介面測試的變頻C-V技術"通過江蘇省科委鑒定

3、1990.1,"一種獲得半導體異質結與超晶格材料的方法及設備"獲中國專利發明專利,專利號:90105603.0

4、1990.12.30,"半導體介面態變頻C-V測量儀"獲國家專利,專利號:90227508

5、1992,"一種獲得低表面分凝Si-GeSi異質結構外延生長方法"獲國家專利,專利號:92109725.5

獲獎情況

1、1989,"聚合物半導體薄膜及其套用的基礎研究"獲江蘇省科技進步三等獎

2、1988,"InP-MIS介面與InP-MIS電晶體研究"獲江蘇省科技進步三等獎

3、1990,"半導體變頻C-V/G-V方法和VFC-1型微機變頻C-V測試系統"獲江蘇省科技進步三等獎

4、1991.9,獲江蘇省優秀教育工作者獎

5、1992,獲國防科工委光華科技基金一等獎

6、1992,獲國家科委國家高技術八六三計畫先進工作者一等獎

7、1992,獲江蘇省優秀科技工作者稱號

8、1992,獲國務院頒發政府特殊津貼

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10月22日,現任南京大學物理系教授、博士生導師,國寶重點基礎研究發展計畫信息科學領域咨詢組成員、國家自然科學基金委員會信息科學部專家咨詢委員會委員的鄭有炓院士,心系桑梓,攜夫人陸婉芳教授(南京大學化學系)回到母校大田一中,為師生作了題為《信息社會與科技貭素教育》的科普報告。鄭院士的報告,深入淺出,為母校的學子們展示了現代科技發展的脈絡和高科技發展的光輝的前景,並勉勵晚輩學子好好學習,長大了報效祖國,為家鄉爭光。

鄭院士是我縣石牌鎮人,系 一中50屆優秀畢業生,以優異的成績考入南京大學物理系,畢業後留校任教至今。鄭院士做為南京大學半導體超晶格實驗室的建立領導者, 江澤民等黨和國家領導人的曾親臨其工作的研究所視察,並高度肯定其工作業績。

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