記憶體條

記憶體條

記憶體條是CPU可通過匯流排定址,並進行讀寫操作的電腦部件。記憶體條在個人電腦歷史上曾經是主記憶體的擴展。隨著電腦軟、硬體技術不斷更新的要求,記憶體條已成為讀寫記憶體的整體。我們通常所說電腦記憶體(RAM)的大小,即是指記憶體條的總容量。

寫入RAM(即讀寫記憶體,即記憶體條)中的資料將在斷電後徹底消失,電腦開機時CPU最早讀入執行的程式資料來自ROM(唯讀記憶體)。記憶體是電腦(包括單片機在內)的基礎部件,從有電腦那天起就有了記憶體。而外存屬于電腦外圍設備,硬碟是經過磁帶、軟碟階段之後發展產生的外存。

記憶體是電腦必不可少的組成部分,CPU可通過資料匯流排對記憶體定址。歷史上的電腦主機板上有主記憶體,記憶體條是主記憶體的擴展。以後的電腦主機板上沒有主記憶體,CPU完全依賴記憶體條。所有外存上的內容必須通過記憶體才能發揮作用。

  • 中文名稱
    記憶體條
  • 外文名稱
    Memory
  • 主要型號
    DDR、DDR2、DDR3

誕生

記憶體條的誕生

記憶體晶片的狀態一直沿用到286初期,鑒于它存在著無法拆卸更換的弊病,這對于電腦的發展造成了現實的阻礙。有鑒于此,記憶體條便應運而生了。將記憶體晶片焊接到事先設計好的印刷線路板上,而電腦主機板上也改用記憶體插槽。這樣就把記憶體難以安裝更換的問題徹底解決了。

在80286主機板發布之前,記憶體並沒有被世人所重視,這個時候的記憶體是直接固化在主機板上,而且容量隻有64 ~256KB,對于當時PC所運行的工作程式來說,這種記憶體的性能以及容量足以滿足當時軟體程式的處理需要。不過隨著軟體程式和新一代80286硬體平台的出現,程式和硬體對記憶體性能提出了更高要求,為了提高速度並擴大容量,記憶體必須以獨立的封裝形式出現,因而誕生了“記憶體條”概念。

在80286主機板剛推出的時候,記憶體條採用了SIMM(Single In-lineMemory Modules,單邊接觸記憶體模組)接口,容量為30pin、256kb,必須是由8 片資料位和1 片校驗位組成1 個bank,正因如此,我們見到的30pin SIMM一般是四條一起使用。自1982年PC進入民用市場一直到現在,搭配80286處理器的30pin SIMM 記憶體是記憶體領域的開山鼻祖。

隨後,在1988 ~1990 年當中,PC 技術迎來另一個發展高峰,也就是386和486時代,此時CPU 已經向16bit 發展,所以30pin SIMM 記憶體再也無法滿足需求,其較低的記憶體頻寬已經成為急待解決的瓶頸,所以此時72pin SIMM 記憶體出現了,72pin SIMM支持32bit快速頁模式記憶體,記憶體頻寬得以大幅度提升。72pin SIMM記憶體單條容量一般為512KB ~2MB,而且僅要求兩條同時使用,由于其與30pin SIMM 記憶體無法兼容,因此這個時候PC業界毅然將30pin SIMM 記憶體淘汰出局了。

記憶體條

EDO DRAM(Extended Date Out RAM,外擴充資料模式存儲器)記憶體,這是1991 年到1995 年之間盛行的記憶體條,EDO-RAM同FP DRAM極其相似,它取消了擴展資料輸出記憶體與傳輸記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔,在把資料傳送給CPU的同時去訪問下一個頁面,故而速度要比普通DRAM快15~30%。工作電壓為一般為5V,頻寬32bit,速度在40ns以上,其主要套用在當時的486及早期的Pentium電腦上。

記憶體條

在1991 年到1995 年中,讓我們看到一個尷尬的情況,那就是這幾年記憶體技術發展比較緩慢,幾乎停滯不前,所以我們看到此時EDO RAM有72 pin和168 pin並存的情況,事實上EDO 記憶體也屬于72pin SIMM 記憶體的範疇,不過它採用了全新的定址方式。EDO 在成本和容量上有所突破,憑借著製作工藝的飛速發展,此時單條EDO 記憶體的容量已經達到4 ~16MB 。由于Pentium及更高級別的CPU資料匯流排寬度都是64bit甚至更高,所以EDO RAM與FPM RAM都必須成對使用。

SDRAM時代

自Intel Celeron系列以及AMD K6處理器以及相關的主機板晶片組推出後,EDO DRAM記憶體性能再也無法滿足需要了,記憶體技術必須徹底得到個革新才能滿足新一代CPU架構的需求,此時記憶體開始進入比較經典的SDRAM時代。

第一代SDRAM 記憶體為PC66 規範,但很快由于Intel 和AMD的頻率之爭將CPU外頻提升到了100MHz,所以PC66記憶體很快就被PC100記憶體取代,接著133MHz 外頻的PIII以及K7時代的來臨,PC133規範也以相同的方式進一步提升SDRAM 的整體性能,頻寬提高到1GB/sec以上。由于SDRAM 的頻寬為64bit,正好對應CPU 的64bit 資料匯流排寬度,因此它隻需要一條記憶體便可工作,便捷性進一步提高。在性能方面,由于其輸入輸出信號保持與系統外頻同步,因此速度明顯超越EDO 記憶體。

不可否認的是,SDRAM 記憶體由早期的66MHz,發展後來的100MHz、133MHz,盡管沒能徹底解決記憶體頻寬的瓶頸問題,但此時CPU超頻已經成為DIY使用者永恆的話題,所以不少使用者將品牌好的PC100品牌記憶體超頻到133MHz使用以獲得CPU超頻成功,值得一提的是,為了方便一些超頻使用者需求,市場上出現了一些PC150、PC166規範的記憶體。

盡管SDRAM PC133記憶體的頻寬可提高頻寬到1064MB/S,加上Intel已經開始著手最新的Pentium 4計畫,所以SDRAM PC133記憶體不能滿足日後的發展需求,此時,Intel為了達到獨佔市場的目的,與Rambus聯合在PC市場推廣Rambus DRAM記憶體(稱為RDRAM記憶體)。與SDRAM不同的是,其採用了新一代高速簡單記憶體架構,基于一種類RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集電腦)理論,這個理論可以減少資料的復雜性,使得整個系統性能得到提高。

在AMD與Intel的競爭中,這個時候是屬于頻率競備時代,所以這個時候CPU的主頻在不斷提升,Intel為了蓋過AMD,推出高頻PentiumⅢ以及Pentium 4 處理器,因此Rambus DRAM記憶體是被Intel看著是未來自己的競爭殺手鐧,Rambus DRAM記憶體以高時鍾頻率來簡化每個時鍾周期的資料量,因此記憶體頻寬相當出色,如PC 1066 1066 MHz 32 bits頻寬可達到4.2G Byte/sec,Rambus DRAM曾一度被認為是Pentium 4 的絕配。

盡管如此,Rambus RDRAM 記憶體生不逢時,後來依然要被更高速度的DDR“掠奪”其寶座地位,在當時,PC600、PC700的Rambus RDRAM 記憶體因出現Intel820 晶片組“失誤事件”、PC800 Rambus RDRAM因成本過高而讓Pentium 4平台高高在上,無法獲得大眾使用者擁戴,種種問題讓Rambus RDRAM胎死腹中,Rambus曾希望具有更高頻率的PC1066 規範RDRAM來力挽狂瀾,但最終也是拜倒在DDR 記憶體面前。

DDR時代

DDR SDRAM(Dual Date Rate SDRAM)簡稱DDR,也就是“雙倍速率SDRAM“的意思。DDR可以說是SDRAM的升級版本,DDR在時鍾信號上升沿與下降沿各傳輸一次資料,這使得DDR的資料傳輸速度為傳統SDRAM的兩倍。由于僅多採用了下降緣信號,因此並不會造成能耗增加。至于定址與控製信號則與傳統SDRAM相同,僅在時鍾上升緣傳輸。

記憶體條

DDR 記憶體是作為一種在性能與成本之間折中的解決方案,其目的是迅速建立起牢固的市場空間,繼而一步步在頻率上高歌猛進,最終彌補記憶體頻寬上的不足。第一代DDR200 規範並沒有得到普及,第二代PC266 DDR SRAM(133MHz時鍾×2倍資料傳輸=266MHz頻寬)是由PC133 SDRAM記憶體所衍生出的,它將DDR 記憶體帶向第一個高潮,目前還有不少賽揚和AMD K7處理器都在採用DDR266規格的記憶體,其後來的DDR333記憶體也屬于一種過度,而DDR400記憶體成為目前的主流平台選配,雙通道DDR400記憶體已經成為800FSB處理器搭配的基本標準,隨後的DDR533 規範則成為超頻使用者的選擇對象。

DDR2時代

隨著CPU 性能不斷提高,我們對記憶體性能的要求也逐步升級。不可否認,僅僅依高頻率提升頻寬的DDR遲早會力不從心,因此JEDEC 組織很早就開始醞釀DDR2 標準,加上LGA775接口的915/925以及最新的945等新平台開始對DDR2記憶體的支持,所以DDR2記憶體將開始演義記憶體領域的今天。

DDR2 能夠在100MHz 的發信頻率基礎上提供每插腳最少400MB/s 的頻寬,而且其接口將運行于1.8V 電壓上,從而進一步降低發熱量,以便提高頻率。此外,DDR2 將融入CAS、OCD、ODT 等新性能指標和中斷指令,提升記憶體頻寬的利用率。從JEDEC組織者闡述的DDR2標準來看,針對PC等市場的DDR2記憶體將擁有400、533、667MHz等不同的時鍾頻率。高端的DDR2記憶體將擁有800、1000MHz兩種頻率。DDR-II記憶體將採用200-、220-、240-針腳的FBGA封裝形式。最初的DDR2記憶體將採用0.13微米的生產工藝,記憶體顆粒的電壓為1.8V,容量密度為512MB。

記憶體技術在2005年將會毫無懸念,SDRAM為代表的靜態記憶體在五年內不會普及。QBM與RDRAM記憶體也難以挽回頹勢,因此DDR與DDR2共存時代將是鐵定的事實。

PC-100的“傳人”除了PC一133以外,VCM(VirXual Channel Memory)也是很重要的一員。VCM即“虛擬通道存儲器”,這也是目前大多數較新的晶片組支持的一種記憶體標準,VCM記憶體主要根據由NEC公司開發的一種“快取式DRAM”技術製造而成,它集成了“通道快取”,由高速暫存器進行配置和控製。在實現高速資料傳輸的同時,VCM還維持著對傳統SDRAM的高度兼容性,所以通常也把VCM記憶體稱為VCM SDRAM。VCM與SDRAM的差別在于不論是否經過CPU處理的資料,都可先交于VCM進行處理,而普通的SDRAM就隻能處理經CPU處理以後的資料,所以VCM要比SDRAM處理資料的速度快20%以上。目前可以支持VCM SDRAM的晶片組很多,包括:Intel的815E、VIA的694X等。

3.RDRAM

Intel在推出:PC-100後,由于技術的發展,PC-100記憶體的800MB/s頻寬已經不能滿足需求,而PC-133的頻寬提高並不大(1064MB/s),同樣不能滿足日後的發展需求。Intel為了達到獨佔市場的目的,與Rambus公司聯合在PC市場推廣Rambus DRAM(DirectRambus DRAM),如圖4-3所示。

Rambus DRAM是:Rambus公司最早提出的一種記憶體規格,採用了新一代高速簡單記憶體架構,基于一種RISC(Reduced Instruction Set Computing,精簡指令集電腦)理論,從而可以減少資料的復雜性,使得整個系統性能得到提高。Rambus使用400MHz的16bit匯流排,在一個時鍾周期內,可以在上升沿和下降沿的同時傳輸資料,這樣它的實際速度就為400MHz×2=800MHz,理論頻寬為(16bit×2×400MHz/8)1.6GB/s,相當于PC-100的兩倍。另外,Rambus也可以儲存9bit位元組,額外的一比特是屬于保留比特,可能以後會作為:ECC(ErroI·Checking and Correction,錯誤檢查修正)校驗位。Rambus的時鍾可以高達400MHz,而且僅使用了30條銅線連線記憶體控製器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules,Rambus內嵌式記憶體模組),減少銅線的長度和數量就可以降低資料傳輸中的電磁幹擾,從而快速地提高記憶體的工作頻率。不過在高頻率下,其發出的熱量肯定會增加,因此第一款Rambus記憶體甚至需要自帶散熱風扇。

DDR3時代

DDR3相比起DDR2有更低的工作電壓,從DDR2的1.8V降落到1.5V,性能更好更為省電;DDR2的4bit預讀升級為8bit預讀。DDR3目前最高能夠1600Mhz的速度,由于目前最為快速的DDR2記憶體速度已經提升到800Mhz/1066Mhz的速度,因而首批DDR3記憶體模組將會從1333Mhz的起跳。在Computex大展我們看到多個記憶體廠商展出1333Mhz的DDR3模組。

DDR3在DDR2基礎上採用的新型設計:

1.8bit預取設計,而DDR2為4bit預取,這樣DRAM核心的頻率隻有接口頻率的1/8,DDR3-800的核心工作頻率隻有100MHz。

2.採用點對點的拓撲架構,以減輕地址/命令與控製匯流排的負擔。

3.採用100nm以下的生產工藝,將工作電壓從1.8V降至1.5V,增加非同步重置(Reset)與ZQ校準功能。

記憶體的作用與分類

記憶體的作用

記憶體是電腦中的主要部件,它是相對于外存而言的。我們平常使用的程式,如WindowsXP系統、打字軟體、遊戲軟體等,一般都是安裝在硬碟等外存上的,但僅此是不能使用其功能的,必須把它們調入記憶體中運行,才能真正使用其功能,我們平時輸入一段文字,或玩一個遊戲,其實都是在記憶體中進行的。通常我們把要永久儲存的、大量的資料存儲在外存上,而把一些臨時的或少量的資料和程式放在記憶體上。

記憶體條

記憶體的分類

記憶體分為DRAM和ROM兩種,前者又叫動態隨機存儲器,它的一個主要特征是斷電後資料會丟失,我們平時說的記憶體就是指這一種;後者又叫唯讀存儲器,我們平時開機首先啓動的是存于主機板上ROM中的BIOS程式,然後再由它去調用硬碟中的Windows,ROM的一個主要特征是斷電後資料不會丟失。

記憶體條

根據記憶體條上的引腳多少,我們可以把記憶體條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的記憶體條又稱為單列存儲器模組SIMM,(SIMM就是一種兩側金手指都提供相同信號的記憶體結構,)168線的記憶體條又稱為雙列存儲器模組DIMM。目前30線記憶體條已經沒有了;前兩年的流行品種是72線的記憶體條,其容量一般有4M、8M、16M和32M等幾種;目前市場的主流品種是168線記憶體條,168線記憶體條的容量一般有16M、32M、64M、128M等幾種,一般的電腦插一條就OK了,不過,隻有基于VX、TX、BX晶片組的主機板才支持168線的記憶體條。

什麽是EDO和SDRAM

前面我們已經按引腳數的多少把記憶體條分為30、72和168線等幾種,其實,它們在結構和性能上還有著本質的區別。

譬如,72線記憶體條是一種EDO記憶體,而現今主流的168線記憶體條幾乎清一色又都是SDRAM記憶體;目前,EDO記憶體的存取速度基本保持在60納秒左右,能夠適應75兆赫茲的外頻,但跑83兆赫茲則有點勉為其難了;而SDRAM記憶體的存取速度一般能達到10納秒左右,能夠適應100兆赫茲以上的外頻。所以從97年底起EDO記憶體已逐步被SDRAM所取代,至今,幾乎已無人再用EDO來裝機了,隻有升級擴充舊電腦記憶體時還用得著它。

記憶體條

其實,EDO記憶體被SDRAM所取代有其必然性,因為,目前市場上主流CPU的主頻已高達450兆赫茲,未來CPU的主頻還會越來越高。但由于傳統記憶體條的讀寫速度遠遠跟不上CPU的速度,迫使CPU插入等待指令周期,從而大大降低了電腦的整體性能。為了緩解這個記憶體瓶頸的問題,我們就必須採用新的記憶體結構,即SDRAM。因為,從理論上說,SDRAM與CPU頻率同步,共享一個時鍾周期。SDRAM內含兩個交錯的存儲陣列,當CPU從一個存儲陣列訪問資料的同時,另一個已準備好讀寫資料,通過兩個存儲陣列的緊密切換,讀取效率得到成倍提高。目前,最新的SDRAM的存儲速度已高達5納秒,所以,SDRAM已成為近期記憶體發展的主流。

當然,EDO記憶體也並沒有完全舉手投降,相反,憑借其出色的影片特徵和低廉的價格,在顯示記憶體等領域仍是連連得手,眾多低檔顯示卡更是無一例外地採用EDO記憶體。另外,許多硬碟、光碟機和印表機也是採用EDO快取,可見,EDO記憶體還真是寶刀不老啊!

記憶體條

RAM有些像教室裏的黑板,上課時老師不斷地往黑板上面寫東西,下課以後全部擦除。RAM要求每時每刻都不斷地供電,否則資料會丟失。如果在關閉電源以後RAM中的資料也不丟失就好了,這樣就可以在每一次開機時都保證電腦處于上一次關機的狀態,而不必每次都重新啓動電腦,重新開啟應用程式了。但是RAM要求不斷的電源供應,那有沒有辦法解決這個問題呢?隨著技術的進步,人們想到了一個辦法,即給RAM供應少量的電源保持RAM的資料不丟失,這就是電腦的待機功能,特別在Win2000裏這個功能得到了很好的套用,休眠時電源處于連線狀態,但是耗費少量的電能。

按記憶體條的接口形式,常見記憶體條有兩種:單列直插記憶體條(SIMM),和雙列直插記憶體條(DIMM)。SIMM記憶體條分為30線,72線兩種。DIMM記憶體條與SIMM記憶體條相比引腳增加到168線。DIMM可單條使用,不同容量可混合使用,SIMM必須成對使用。

按記憶體的工作方式,記憶體又有FPA EDO DRAM和SDRAM(同步動態RAM)等形式。

FPM(FAST PAGE MODE)RAM 快速頁面模式隨機存取存儲器:這是較早的電腦系統普通使用的記憶體,它每隔三個時鍾脈沖周期傳送一次資料。

記憶體條

EDO(EXTENDED DATA OUT)RAM

擴展資料輸出隨機存取存儲器:EDO記憶體取消了主機板與記憶體兩個存儲周期之間的時間間隔,他每個兩個時鍾脈沖周期輸出一次資料,大大地縮短了存取時間,使存儲速度提高30%。EDO一般是72腳,EDO記憶體已經被SDRAM所取代。

S(SYSNECRONOUS)DRAM

同步動態隨機存取存儲器:SDRAM為168腳,這是目前PENTIUM及以上機型使用的記憶體。SDRAM將CPU與RAM通過一個相同的時鍾鎖在一起,使CPU和RAM能夠共享一個時鍾周期,以相同的速度同步工作,每一個時鍾脈沖的上升沿便開始傳遞資料,速度比EDO記憶體提高50%。

DDR(DOUBLE DATA RAGE)RAM

SDRAM的更新換代產品,他允許在時鍾脈沖的上升沿和下降沿傳輸資料,這樣不需要提高時鍾的頻率就能加倍提高SDRAM的速度。

記憶體條

RDRAM(RAMBUS DRAM)存儲器匯流排式動態隨機存取存儲器;RDRAM是RAMBUS公司開發的具有系統頻寬,晶片到晶片接口設計的新型DRAM,他能在很高的頻率範圍內通過一個簡單的匯流排傳輸資料。他同時使用低電壓信號,在高速同步時鍾脈沖的兩邊沿傳輸資料。INTEL將在其820晶片組產品中加入對RDRAM的支持。

記憶體的參數主要有兩個:存儲容量和存取時間。存儲容量越大,電腦能記憶的信息越多。存取時間則以納秒(NS)為單位來計算。一納秒等于10^-9秒。數位越小,表明記憶體的存取速度越快。

記憶體條種類之間的區別

DDR2與DDR的區別

與DDR相比,DDR2最主要的改進是在記憶體模組速度相同的情況下,可以提供相當于DDR記憶體兩倍的頻寬。這主要是通過在每個設備上高效率使用兩個DRAM核心來實現的。作為對比,在每個設備上DDR記憶體隻能夠使用一個DRAM核心。技術上講,DDR2記憶體上仍然隻有一個DRAM核心,但是它可以並行存取,在每次存取中處理4個資料而不是兩個資料。

與雙倍速運行的資料緩沖相結合,DDR2記憶體實現了在每個時鍾周期處理多達4bit的資料,比傳統DDR記憶體可以處理的2bit資料高了一倍。DDR2記憶體另一個改進之處在于,它採用FBGA封裝方式替代了傳統的TSOP方式。

然而,盡管DDR2記憶體採用的DRAM核心速度和DDR的一樣,但是我們仍然要使用新主機板才能搭配DDR2記憶體,因為DDR2的物理規格和DDR是不兼容的。首先是接口不一樣,DDR2的針腳數量為240針,而DDR記憶體為184針;其次,DDR2記憶體的VDIMM電壓為1.8V,也和DDR記憶體的2.5V不同。

DDR2的定義:

DDR2(Double Data Rate 2)SDRAM是由JEDEC(電子設備工程聯合委員會)進行開發的新生代記憶體技術標準,它與上一代DDR記憶體技術標準最大的不同就是,雖然同是採用了在時鍾的上升/下降延同時進行資料傳輸的基本方式,但DDR2記憶體卻擁有兩倍于上一代DDR記憶體預讀取能力(即:4bit資料讀預取)。換句話說,DDR2記憶體每個時鍾能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料,並且能夠以內部控製匯流排4倍的速度運行。

此外,由于DDR2標準規定所有DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式,而不同于目前廣泛套用的TSOP/TSOP-II封裝形式,FBGA封裝可以提供了更為良好的電氣性能與散熱性,為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了堅實的基礎。回想起DDR的發展歷程,從第一代套用到個人電腦的DDR200經過DDR266、DDR333到今天的雙通道DDR400技術,第一代DDR的發展也走到了技術的極限,已經很難通過常規辦法提高記憶體的工作速度;隨著Intel最新處理器技術的發展,前端匯流排對記憶體頻寬的要求是越來越高,擁有更高更穩定運行頻率的DDR2記憶體將是大勢所趨。

在了解DDR2記憶體諸多新技術前,先讓我們看一組DDR和DDR2技術對比的資料。

1.延遲問題:

從上表可以看出,在同等核心頻率下,DDR2的實際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2記憶體擁有兩倍于標準DDR記憶體的4BIT預讀取能力。換句話說,雖然DDR2和DDR一樣,都採用了在時鍾的上升延和下降延同時進行資料傳輸的基本方式,但DDR2擁有兩倍于DDR的預讀取系統命令資料的能力。也就是說,在同樣100MHz的工作頻率下,DDR的實際頻率為200MHz,而DDR2則可以達到400MHz。

這樣也就出現了另一個問題:在同等工作頻率的DDR和DDR2記憶體中,後者的記憶體延時要慢于前者。舉例來說,DDR 200和DDR2-400具有相同的延遲,而後者具有高一倍的頻寬。實際上,DDR2-400和DDR 400具有相同的頻寬,它們都是3.2GB/s,但是DDR400的核心工作頻率是200MHz,而DDR2-400的核心工作頻率是100MHz,也就是說DDR2-400的延遲要高于DDR400。

2.封裝和發熱量:

DDR2記憶體技術最大的突破點其實不在于使用者們所認為的兩倍于DDR的傳輸能力,而是在採用更低發熱量、更低功耗的情況下,DDR2可以獲得更快的頻率提升,突破標準DDR的400MHZ限製。

DDR記憶體通常採用TSOP晶片封裝形式,這種封裝形式可以很好的工作在200MHz上,當頻率更高時,它過長的管腳就會產生很高的阻抗和寄生電容,這會影響它的穩定性和頻率提升的難度。這也就是DDR的核心頻率很難突破275MHZ的原因。而DDR2記憶體均採用FBGA封裝形式。不同于目前廣泛套用的TSOP封裝形式,FBGA封裝提供了更好的電氣性能與散熱性,為DDR2記憶體的穩定工作與未來頻率的發展提供了良好的保障。

DDR2記憶體採用1.8V電壓,相對于DDR標準的2.5V,降低了不少,從而提供了明顯的更小的功耗與更小的發熱量,這一點的變化是意義重大的。

DDR2採用的新技術:

除了以上所說的區別外,DDR2還引入了三項新的技術,它們是OCD、ODT和Post CAS。

OCD(Off-Chip Driver):也就是所謂的離線驅動調整,DDR II通過OCD可以提高信號的完整性。DDR II通過調整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用OCD通過減少DQ-DQS的傾斜來提高信號的完整性;通過控製電壓來提高信號品質。

ODT:ODT是內建核心的終結電阻器。我們知道使用DDR SDRAM的主機板上面為了防止資料線終端反射信號需要大量的終結電阻。它大大增加了主機板的製造成本。實際上,不同的記憶體模組對終結電路的要求是不一樣的,終結電阻的大小決定了資料線的信號比和反射率,終結電阻小則資料線信號反射低但是信噪比也較低;終結電阻高,則資料線的信噪比高,但是信號反射也會增加。因此主機板上的終結電阻並不能非常好的匹配記憶體模組,還會在一定程度上影響信號品質。DDR2可以根據自己的特點內建合適的終結電阻,這樣可以保證最佳的信號波形。使用DDR2不但可以降低主機板成本,還得到了最佳的信號品質,這是DDR不能比擬的。

Post CAS:它是為了提高DDR II記憶體的利用效率而設定的。在Post CAS操作中,CAS信號(讀寫/命令)能夠被插到RAS信號後面的一個時鍾周期,CAS命令可以在附加延遲(Additive Latency)後面保持有效。原來的tRCD(RAS到CAS和延遲)被AL(Additive Latency)所取代,AL可以在0,1,2,3,4中進行設定。由于CAS信號放在了RAS信號後面一個時鍾周期,因此ACT和CAS信號永遠也不會產生碰撞沖突。

總的來說,DDR2採用了諸多的新技術,改善了DDR的諸多不足,雖然它目前有成本高、延遲慢能諸多不足,但相信隨著技術的不斷提高和完善,這些問題終將得到解決。

DDR3與DDR2幾個主要的不同之處

1.突發長度(Burst Length,BL)

由于DDR3的預取為8bit,所以突發傳輸周期(Burst Length,BL)也固定為8,而對于DDR2和早期的DDR架構系統,BL=4也是常用的,DDR3為此增加了一個4bit Burst Chop(突發突變)模式,即由一個BL=4的讀取操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的資料突發傳輸,屆時可通過A12地址線來控製這一突發模式。而且需要指出的是,任何突發中斷操作都將在DDR3記憶體中予以禁止,且不予支持,取而代之的是更靈活的突發傳輸控製(如4bit順序突發)。

2.定址時序(Timing)

就像DDR2從DDR轉變而來後延遲周期數增加一樣,DDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2的CL範圍一般在2~5之間,而DDR3則在5~11之間,且附加延遲(AL)的設計也有所變化。DDR2時AL的範圍是0~4,而DDR3時AL有三種選項,分別是0、CL-1和CL-2。另外,DDR3還新增加了一個時序參數——寫入延遲(CWD),這一參數將根據具體的工作頻率而定。

3.DDR3新增的重置(Reset)功能

重置是DDR3新增的一項重要功能,並為此專門準備了一個引腳。DRAM業界很早以前就要求增加這一功能,如今終于在DDR3上實現了。這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。當Reset命令有效時,DDR3記憶體將停止所有操作,並切換至最少量活動狀態,以節約電力。

在Reset期間,DDR3記憶體將關閉內在的大部分功能,所有資料接收與傳送器都將關閉,所有內部的程式裝置將復位,DLL(延遲鎖相環路)與時鍾電路將停止工作,而且不理睬資料匯流排上的任何動靜。這樣一來,將使DDR3達到最節省電力的目的。

4.DDR3新增ZQ校準功能

ZQ也是一個新增的腳,在這個引腳上接有一個240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過一個命令集,通過片上校準引擎(On-Die Calibration Engine,ODCE)來自動校驗資料輸出驅動器導通電阻與ODT的終結電阻值。當系統發出這一指令後,將用相應的時鍾周期(在加電與初始化之後用512個時鍾周期,在退出自重新整理操作後用256個時鍾周期、在其他情況下用64個時鍾周期)對導通電阻和ODT電阻進行重新校準。

5.參考電壓分成兩個

在DDR3系統中,對于記憶體系統工作非常重要的參考電壓信號VREF將分為兩個信號,即為命令與地址信號服務的VREFCA和為資料匯流排服務的VREFDQ,這將有效地提高系統資料匯流排的信噪等級。

6.點對點連線(Point-to-Point,P2P)

這是為了提高系統性能而進行的重要改動,也是DDR3與DDR2的一個關鍵區別。在DDR3系統中,一個記憶體控製器隻與一個記憶體通道打交道,而且這個記憶體通道隻能有一個插槽,因此,記憶體控製器與DDR3記憶體模組之間是點對點(P2P)的關系(單物理Bank的模組),或者是點對雙點(Point-to-two-Point,P22P)的關系(雙物理Bank的模組),從而大大地減輕了地址/命令/控製與資料匯流排的負載。而在記憶體模組方面,與DDR2的類別相類似,也有標準DIMM(台式PC)、SO-DIMM/Micro-DIMM(筆電)、FB-DIMM2(伺服器)之分,其中第二代FB-DIMM將採用規格更高的AMB2(高級記憶體緩沖器)。

7.邏輯Bank數量

DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設計,目的就是為了應對未來大容量晶片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步,因此起始的邏輯Bank就是8個,另外還為未來的16個邏輯Bank做好了準備。

8.根據溫度自動自重新整理(SRT,Self-Refresh Temperature)

為了保證所儲存的資料不丟失,DRAM必須定時進行重新整理,DDR3也不例外。不過,為了最大的節省電力,DDR3採用了一種新型的自動自重新整理設計(ASR,Automatic Self-Refresh)。當開始ASR之後,將通過一個內置于DRAM晶片的溫度感測器來控製重新整理的頻率,因為重新整理頻率高的話,消電就大,溫度也隨之升高。而溫度感測器則在保證資料不丟失的情況下,盡量減少重新整理頻率,降低工作溫度。不過DDR3的ASR是可選設計,並不見得市場上的DDR3記憶體都支持這一功能,因此還有一個附加的功能就是自重新整理溫度範圍(SRT,Self-Refresh Temperature)。通過模式暫存器,可以選擇兩個溫度範圍,一個是普通的的溫度範圍(例如0℃至85℃),另一個是擴展溫度範圍,比如最高到95℃。對于DRAM內部設定的這兩種溫度範圍,DRAM將以恆定的頻率和電流進行重新整理操作。

9.局部自重新整理(RASR,Partial Array Self-Refresh)

這是DDR3的一個可選項,通過這一功能,DDR3記憶體晶片可以隻重新整理部分邏輯Bank,而不是全部重新整理,從而最大限度的減少因自重新整理產生的電力消耗。這一點與移動型記憶體(Mobile DRAM)的設計很相似。

10.封裝(Packages)

DDR3由于新增了一些功能,所以在引腳方面會有所增加,8bit晶片採用78球FBGA封裝,16bit晶片採用96球FBGA封裝,而DDR2則有60/68/84球FBGA封裝三種規格。並且DDR3必須是綠色封裝,不能含有任何有害物質。

面向64位構架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有更多的優勢,此外,由于DDR3所採用的根據溫度自動自重新整理、局部自重新整理等其它一些功能,在功耗方面DDR3也要出色得多,因此,它可能首先受到移動設備的歡迎,就像最先迎接DDR2記憶體的不是台式機而是伺服器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC台式機領域,DDR3未來也是一片光明。目前Intel預計在明年第二季所推出的新晶片-熊湖(Bear Lake),其將支持DDR3規格,而AMD也預計同時在K9平台上支持DDR2及DDR3兩種規格。

記憶體非同步工作模式包含多種意義,在廣義上凡是記憶體工作頻率與CPU的外頻不一致時都可以稱為記憶體非同步工作模式。首先,最早的記憶體非同步工作模式出現在早期的主機板晶片組中,可以使記憶體工作在比CPU外頻高33MHz或者低33MHz的模式下(註意隻是簡單相差33MHz),從而可以提高系統記憶體性能或者使老記憶體繼續發揮餘熱。其次,在正常的工作模式(CPU不超頻)下,目前不少主機板晶片組也支持記憶體非同步工作模式,例如Intel 910GL晶片組,僅僅隻支持533MHz FSB即133MHz的CPU外頻,但卻可以搭配工作頻率為133MHz的DDR 266、工作頻率為166MHz的DDR 333和工作頻率為200MHz的DDR 400正常工作(註意此時其CPU外頻133MHz與DDR 400的工作頻率200MHz已經相差66MHz了),隻不過搭配不同的記憶體其性能有差異罷了。再次,在CPU超頻的情況下,為了不使記憶體拖CPU超頻能力的後腿,此時可以調低記憶體的工作頻率以便于超頻,例如AMD的Socket 939接口的Opteron 144非常容易超頻,不少產品的外頻都可以輕松超上300MHz,而此如果在記憶體同步的工作模式下,此時記憶體的等效頻率將高達DDR 600,這顯然是不可能的,為了順利超上300MHz外頻,我們可以在超頻前在主機板BIOS中把記憶體設定為DDR 333或DDR 266,在超上300MHz外頻之後,前者也不過才DDR 500(某些極品記憶體可以達到),而後者更是隻有DDR 400(完全是正常的標準頻率),由此可見,正確設定記憶體非同步模式有助于超頻成功。

目前的主機板晶片組幾乎都支持記憶體非同步,英特爾公司從810系列到目前較新的875系列都支持,而威盛公司則從693晶片組以後全部都提供了此功能。

記憶體-發展簡史

記憶體發展簡史

起初,電腦所使用的記憶體是一塊塊的IC,我們必須把它們焊接到主機板上才能正常使用,一旦某一塊記憶體IC壞了,必須焊下來才能更換,這實在是太費勁了。後來,電腦設計人員發明了模組化的條裝記憶體,每一條上集成了多塊記憶體IC,相應地,在主機板上設計了記憶體插槽,這樣,記憶體條就可隨意拆卸了,從此,記憶體的維修和擴充都變得非常方便。

根據記憶體條上的引腳多少,我們可以把記憶體條分為30線、72線、168線等幾種。30線與72線的記憶體條又稱為單列存儲器模組SIMM,168線的記憶體條又稱為雙列存儲器模組DIMM。目前30線記憶體條已經沒有了;前兩年的流行品種是72線的記憶體條,其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等幾種;目前市場的主流品種是168線記憶體條,168線記憶體條的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等幾種,一般的電腦插一條就OK了,不過,隻有基于VX、TX、BX晶片組的主機板才支持168線的記憶體條。現如今,最流行的應屬184線的記憶體條了。

記憶體的性能指標

記憶體的性能指標

評價記憶體條的性能指標一共有四個:

(1) 存儲容量:即一根記憶體條可以容納的二進位信息量,如目前常用的168線記憶體條的存儲容量一般多為32兆、64兆和128兆。而DDRII3普遍為1GB到2GB。

(2) 存取速度(存儲周期):即兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間,又稱為存儲周期,半導體存儲器的存取周期一般為60納秒至100納秒。

(3) 存儲器的可靠性:存儲器的可靠性用平均故障間隔時間來衡量,可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。

(4) 性能價格比:性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項內容,性能價格比是一個綜合性指標,對于不同的存儲器有不同的要求。

記憶體品牌大全

按字母查找品牌

AApacer(宇瞻)

BBIAOXING(標星)

CCorsair(海盜船)Chaintech(華東承啓)

Eelixir(南亞易勝

F富豪

GGEIL(金邦科技)G.SKILL(芝奇)GoldenMars(勁芯)

HHynix(現代)Honnex(宏連)

JRamax(記憶數碼)KingYi(金億)

KKingston(金士頓)KINGBOX(黑金剛)KINGTIGER(金泰克)KINGMAX(勝創)KINGXCON(金士剛)Kintell(金特爾)

Lleadmax(超勝科技)

MMAKWAY(邁威)

NNCP

OOCZ

PPatriot(博帝)PNYPQI(勁永)

RRamsta(瑞勢)RAMOS(藍魔)

SSamsung(三星)燊能上風

TTranscend(創見)Team(十銓科技)TPOS

VV-Color(全何)

W威剛

X鑫龍芯

Y億能

記憶體條品牌的選購

現在常見的記憶體條品牌有以下幾種,這裏主要給大家參考

現代(HY)

個人認為,原廠現代和三星記憶體是目前兼容性和穩定性最好的記憶體條,其比許多廣告吹得生猛的記憶體條要來得實在得多,此外,現代"Hynix(更專業的稱呼是海力士半導體Hynix Semiconductor Inc.)"的D43等顆粒也是目前很多高頻記憶體所普遍採用的記憶體晶片。目前,市場上超值的現代高頻條有現代原廠DDR500記憶體,採用了TSOP封裝的HY5DU56822CT-D5記憶體晶片,其性價比很不錯。

金士頓(Kingston)

作為世界第一大記憶體生產廠商的Kingston,其金士頓記憶體產品在進入中國市場以來,就憑借優秀的產品質量和一流的售後服務,贏得了眾多中國消費者的心。

不過Kingston雖然作為世界第一大記憶體生產廠商,然而Kingston品牌的記憶體產品,其使用的記憶體顆粒確是五花八門,既有Kingston自己顆粒的產品,更多的則是現代(Hynix)、三星(Samsung)、南亞(Nanya)、華邦(Winbond)、英飛凌(Infinoen)、美光(Micron)等等眾多廠商的記憶體顆粒。

Kingston的高頻記憶體有採用"Hynix"D43顆粒和Winbond的記憶體顆粒的金士頓DDR400、DDR433-DDR500記憶體等,其分屬ValueRam系列(經濟型)和HyperX系列。

Kingston的ValueRam系列,價格與普通的DDR400一樣,但其可以超頻到DDR500使用。而Kingston的HyperX系列其超頻性也不錯,Kingston 500MHz的HyperX超頻記憶體(HyperX PC4000)有容量256MB、512MB單片包裝與容量512MB與1GB雙片的包裝上市,其電壓為2.6伏特,採用鋁製散熱片加強散熱,使用三星K4H560838E-TCCC晶片,在DDR400下的CAS值為2.5,DDR500下的CAS值為3,所以性能也一般。

利屏

利屏是進來新近崛起的一個記憶體新秀。利屏科技(深圳)有限公司總部設在美國西部風景如畫的世界高科技重鎮舊金山。公司致力于研發、生產和銷售利屏LPT極限高端記憶體條產品。公司擁有一支技術過硬的產品研發團隊和足跡遍及中、外的專業銷售隊伍。產品深受廣大遊戲玩家和超頻愛好者的喜愛。同時被冠以“超頻之神”的美譽。

“利屏”眼鏡蛇DDR400系列記憶體也是專門為追求性能的玩家所設計,它採用的也是D43的顆粒,但是時序更高,為了加強散熱更是加上了金屬散熱片,其超頻能力相當強勁,在加0.1V左右的電壓下可以超頻到DDR520。而利屏的DDR466記憶體,它採用的是編號為K4H560838E-TCCC的三星顆粒,運行在DDR466的時候記憶體時序為3-4-4-8,但其256MB容量接近500元的報價就顯得太高了。

而利屏的高端極限記憶體DDR560,提供單片256MB和512MB包裝,同時雙片裝的512MB和1024MB支持雙通道架構,每條記憶體的表面均有銅質散熱片進行散熱及確保運行的穩定性,其CAS值均為3,隻能說剛好能用而已。

勤茂(TwinMOS)

勤茂(TwinMOS)CAS為2的DDR433記憶體,採用CSP技術封裝—這款,勤茂DDR433記憶體的CAS Latency控製在2,Burst Length控製在2、4、8,性能指數不錯。此外,記憶體外面包裹著金黃色記憶體罩,能起到散熱和禁止的作用,記憶體顆粒與散熱片之間則填充了導熱的墊片。價格在350元左右,其可超性也不含糊,性價比不錯。

勝創(Kingmax)

成立于1989年的勝創科技有限公司是一家名列中國台灣省前200強的生產企業(Commonwealth Magazine,May 2000),同時也是記憶體模組的引領生產廠商。

通過嚴格的質量控製和完善的研發實力,勝創科技獲得了ISO-9001證書,同時和IT行業中最優秀的企業建立了合作伙伴關系。公司以不斷創新的設計工藝和追求完美的信念生產出了高性能的尖端科技產品,不斷向移動計算領域提供價廉物美的最出色的記憶體模組。

在SDRAM時期,Kingmax就曾成功的建造了PC150帝國,開啓了記憶體產品的高速時代,也奠定了Kingmax在記憶體領域領先的地位。而今DDR來了,從266到300,再到現在的500,Kingmax始終保持著領先的位置,繼續引領著記憶體發展的方向。說到KingMax記憶體,就不能不說到它獨特的“TinyBGA”封裝技術專利——作為全球領先的DRAM生產廠商,勝創科技在1997年宣布了第一款基于TinyBGA封裝技術的記憶體模組,這項屢獲殊榮的封裝技術能以同樣的體積大小封裝3倍于普通技術所達到的記憶體容量。同時,勝創科技還研製了為高端伺服器和工作站套用設計的1GB StackBGA模組、為DDR套用設計的FBGA模組以及為Rambus RIMM套用設計的速度高達1.6GB/秒的flip-chip BGA/DCA模組。

Kingmax勝創推出的低價版的DDR433記憶體產品,該產品採用傳統的TSOP封裝記憶體晶片,工作頻率433MHz。Kingmax推出的這個SuperRam PC3500系列的售價和PC3200處于同一檔次,這為那些熱衷超頻又手頭不寬裕的使用者提供了一個不錯的選擇。此外,Kingmax也推出了CL-3的DDR500記憶體產品,其性能和其它廠家的同類產品大同小異。

海盜船(Corsair)

Corsair(海盜船)是一家較有特點的記憶體品牌,走的是高端路線,其記憶體條都包裹著一層黑色金屬外殼,這層金屬殼緊貼在記憶體顆粒上,一方面可以禁止其他的電磁幹擾。其代表產品如Corsair TwinX PC3200(CMX512-3200XL)記憶體,其在DDR400下,可以穩定運行在CL2-2-2-5-T1下,將潛伏期和定址時間縮短為原來的一半,這款記憶體並不比一些DDR500產品差,而且Corsair為這種記憶體提供終身保修。

而Corsair DDR500記憶體採用Hynix晶片,這款XMS4000能穩定運行在DDR500,並且可以超頻到DDR530,在DDR500下其CAS值為2.5,性能還算不錯。

宇瞻(Apacer)

在記憶體市場,Apacer一直以來都有著較好的聲譽,其SDRAM時代的WBGA封裝也響徹一時,在DDR記憶體上也樹立了良好形象。宇瞻科技隸屬宏碁集團,實力非常雄厚。初期專註于記憶體模組行銷,並已經成為全球前四大記憶體模組供應商之一。據權威人士透露,在國際上,宇瞻的品牌知名度以及產品銷量與目在前國內排名第一的品牌持平甚至超過,之所以在國內目前沒有坐到龍頭位置,是因為宇瞻對于品牌宣傳一直比較低調,精力更多投入到產品研發生產而不是品牌推廣當中。

最近,宇瞻相應推出的"宇瞻金牌記憶體"系列。宇瞻金牌記憶體產品線特別為追求高穩定性、高兼容性的記憶體使用者而設計。宇瞻金牌記憶體堅持使用100%原廠測試顆粒(決不使用OEM顆粒)是基于現有最新的DDR記憶體技術標準設計而成,經過ISO 9002識別之工廠完整流程生產製造。採用20微米金手指高品質6層PCB板,每條記憶體都覆蓋有美觀精質的黃金色金屬銘牌,而且通過了最高端的Advantest測試系統檢測後,採用高速SMT機台打造,經過高低壓、高低溫、長時間的密封式空間嚴苛測試,並經過全球知名系統及主機板大廠完全兼容性測試,品質與兼容性都得到最大限度的保證。

宇瞻的DDR500記憶體(PC4000記憶體)採用金黃色的散熱片和綠色的PCB板搭配。金屬散熱片的材質相當不錯,在手中有種沉甸甸的感覺,為了防止氧化,其表面被鍍成了金色。記憶體顆粒方面,這款記憶體採用了三星的記憶體顆粒,具體型號為:K4H560838E-TCC5,為32Mx8規格DDR466@CL=3的TSOPII封裝顆粒,標準工作電壓2.6V+-0.1V,標準運行時序CL-tRCD-tRP為3-4-4。在DDR500下其CL值為3,性能將就。

金邦(Geil)

金邦科技股份有限公司是世界上專業的記憶體模組製造商之一。全球第一家也是唯一家以漢字註冊的記憶體品牌,並以中文命名的產品"金邦金條"、"千禧條GL2000"迅速進入國內市場,在極短的時間內達到行業銷量遙遙領先。第一支"量身訂做,終身保固"記憶體模組的記憶體品牌,首推"量身訂做"系列產品,使電腦進入最最佳化狀態。在聯合電子設備工程委員會JEDEC尚未通過DDR400標準的情況下,率先推出第一支"DDR400"並成功于美國上市。

金邦高性能、高品質和高可靠性的記憶體產品,引起業界和傳媒的廣泛關註。在過去幾年中,金邦記憶體多次榮獲國內權威雜志評為讀者首選品牌和編輯選擇獎,穩奪國記憶體儲器市場佔有率三強。

金邦的Geil Platinum系列的DDR500記憶體(PC4000),採用TSOPII封裝,使用了純銅記憶體散熱片,可較妥善的解決記憶體的散熱問題。採用六層低電磁幹擾PCB板設計;單條容量256MB,在記憶體晶片上做了整體打磨並上打上了Geil的印記,"號稱"使用了4ns的記憶體晶片,但仍可以看出其是採用Hynix的記憶體顆粒。額定工作頻率可達500MHz,在記憶體參數方面這是默認為CL3,可達CL2.5。除此而外,其還有金條PC4200(DDR533)等款產品。

威剛(ADATA)

威剛的高頻記憶體有DDR450、460、500等。Adata DDR500是一款價格適宜的DDR500產品,CAS值為3,其沒有使用散熱片,在晶片上的標簽顯示了Adata ID號。

八。圖解記憶體的分類和命名方法

金泰克(tigo)

金泰克是國產的一個非常不錯的記憶體條生產商,全球十大存儲品牌之一。kimtigo是海外名稱。金泰克的質量算是比較好的,目前有筆記本記憶體條和台式機記憶體條兩個產品服務。

台式機DDR3分為速虎系列和磐虎StoneTiger系列,速虎系列採用國產A級晶片,每一顆晶片都經過100%的品質檢驗細選而出,全身採用酷黑鋁合,有點類似海盜船記憶體條,遊戲性能好散熱性也不錯,速虎系列有最佳化記憶體SPD設計,可以嘗試主機板雙通道和單通道(三通道在此提醒消費者任何記憶體條都不要三通道因為切記可雙不可單)   磐虎StoneTiger系列是金泰克中一個追求穩定性和高性能的記憶體系列,採用tigo原廠頂級快閃記憶體顆粒,此系列是一個有高兼容性能長時間穩定工作的優質記憶體條系列。(此記憶體條系列終身保固、全國聯保及免費技術支持服務)

筆記本Note Book系列記憶體,同樣採用tigo原廠頂級顆粒,因為低發熱率及低功耗,可以使筆記本能夠更長時間的工作。

目前金士頓已經推出了KVR系列DDR4記憶體,採用顆粒來自SK Hynix(現代),單顆快閃記憶體顆粒容量512MB,正反兩面,一共16個總計8GB容量,一般頻率為DDR4-2133MHz。在DDR4雖然不算是很好的 ,但是相比其他一線的記憶體條商其價格很親民,比較便宜。

記憶體條 記憶體條

昱聯(Asint) 

ASint記憶體顆粒從日系大廠爾必達(Elpida)嚴格的 Burn-In(燒機)測試中,嚴選出通過Intel(英特爾)識別的特A級顆粒。

ASint記憶體模組針對超頻速度及超頻後的穩定度加以調適SPD,在提高記憶體性能與頻率的極限值時,同時保有極佳相容性與高穩定度。重新解釋系統DRAM的角色,並且加強其他系統元件表現,低電壓高效能是ASint記憶體的一大特點。

ASint記憶體,聖殿騎士系列採用8層高壓密集雷射電路板,用料布局整齊符合JEDEC規範,精細焊點與電鍍金手指,有效提高抗氧化性。微型電容和綿密電阻皆經過嚴格識別,有效減少外來信號的幹擾。載入濾波電路設計,濾除電磁雜波,增強抗擾能力。

ASint昱聯科技源自矽統科技(SIS)晶片組的優異技術與測試平台,通過Intel官方指定識別機構(AVL)與JEDEC之識別。

ASint記憶體為確保整個系統的穩定與記憶體能長時間的運作,模組出廠皆經72hr的穩定性滿載(Full-Loading)燒機測試與驗證。

在愈來愈重視環保議題的社會,歐盟推出物質產品出貨皆需符合綠色規範。ASint對此更是不遺餘力,堅持以無鉛( Lead Free)BGA封裝來製造符合RoHS的「環保導向」的「綠色」產品,為這環保綠色地球盡一份心力!

ASint記憶體與INTEL / AMD兩大平台之間的相容性,符合全球一線品牌電腦商的工規要求。除了業界標準測試程式(Memtest / RST)與雙通道測試外,出廠前還經高端遊戲測試軟體(Golden Memory)篩選,提供高階3D遊戲大賽解決方案。

選購記憶體條時除了要考慮前面介紹的引腳數、容量和存取速度之外,還要考慮以下幾個因素:

(1) 奇偶性

為了保證記憶體存取資料的的準確性,有些記憶體條上有奇偶校驗位,如3片或9片裝的記憶體條。如果您對電腦運行的準確性要求很高,最好選擇有奇偶校驗功能的記憶體條。

(2) 價格

雖然現在的記憶體條和以前相比,價格已經大幅下降,但不同的品牌和性能,價格還是有一些差別,您可根據自己的需要和預算情況選擇適合自己的價位。另外,購買記憶體時您還須註意品牌和質量,目前,生產記憶體的廠家較多,質量較為可靠的品牌有:韓國LG、金士頓,日本的東芝、日本精工、日本電氣公司、日本松下。

記憶體在電腦中起著舉足輕重的作用。記憶體一般採用半導體存儲單元,包括隨機存儲器(RAM),唯讀存儲器(ROM),以及高速快取(CACHE)。隻不過因為RAM是其中最重要的存儲器。

通常所說的記憶體即指電腦系統中的RAM。

記憶體條簡介

記憶體是電腦必不可少的組成部分之一,CPU可通過資料匯流排對記憶體定址。以前的電腦主機板上有主記憶體,記憶體條是主記憶體的擴展。現在的電腦主機板,記憶體完全依賴記憶體條。所有外存上的內容必須通過記憶體才能發揮作用。雖然某些情況下需要在記憶體中建立虛擬盤,但在電腦中記憶體通常不起資料倉庫的作用。

記憶體條常見問題及其解決辦法

相信眾多朋友在使用電腦時,總會遇到這樣或那樣的各種問題。如啓動電腦卻無法正常啓動、無法進入作業系統或是運行套用軟體,無故經常當機等故障時,這些問題的產生常會因為記憶體出現異常故障而導致操作失敗。這是因為記憶體做為電腦中三大件配件之一,主要擔負著資料的臨時存取任務。而市場上記憶體條的質量又參差不齊,所以它發生故障的機率比較大。現為解決這些記憶體常見問題,小編給您支招,希望可以對您有所幫助。

記憶體出現問題一部分是因為升級記憶體,但由于記憶體種類的不匹配,往往會遇到一些麻煩,具體出現的記憶體問題及支招如下。

1、無法正常開機

支招:遇到這類現象主要有三個解決的途徑:第一,更換記憶體的位置,這是最為簡單也是最為常用的一種方法,一般是把低速的老記憶體插在靠前的位置上。第二,在基本能開機的前提下,進入BIOS設定,將與記憶體有關的設定項依照低速記憶體的規格設定。比如:使用其中的一根記憶體(如果是DDR333和DDR400的記憶體混合使用,最好使用DDR333的記憶體),將電腦啓動,進入BIOS設定,將記憶體的工作頻率及反應時間調慢,以老記憶體可以穩定運行為準,方可關機插入第二根記憶體。

2、電腦運行不穩定

支招:遇到這類問題的出現主要是記憶體兼容性造成的,解決的基本思路是與上面大體相同。第一,更換記憶體的位置。第二,在BIOS中關閉記憶體由SPD自動配置的選項,改為手動配置。第三,如果主機板帶有I/O電壓調節功能,可將電壓適當調高,加強記憶體的穩定性。

3、混插後記憶體容量識別不正確

支招:造成這種現象的原因,第一種可能是主機板晶片組自身的原因所造成的,一些老主機板隻支持256MB記憶體的容量(i815系列隻支持512MB),超出的部分,均不能識別和使用。當然還有一些情況是由于主機板無法支持高位記憶體顆粒造成的,解決這類問題的惟一方法就是更換主機板或者記憶體。另外在一些情況下通過調整記憶體的插入順序也可以解決此問題。

記憶體混插不穩定的問題是一個老問題了。面對這種情況,筆者建議您在選購記憶體條時,要選擇象金士頓、金泰克這些高品質記憶體,因為它們的電氣兼容性及穩定性都比較出色,出現問題的幾率要低一些,並且售後也都有保障。

另一部分是因為記憶體在使用過程中,金手指與主機板的插槽接觸不良引起或者是中了病毒等原因引起的問題,具體出現的記憶體問題及支招如下。

4、電腦無法正常啓動,開啟電腦主機電源後機箱報警喇叭出現長時間的短聲鳴叫,或是開啟主機電源後電腦可以啓動但無法正常進入作業系統,螢幕出現"Error:Unable to ControlA20 Line"的錯誤信息後並當機。

支招:出現上面故障多數是由于記憶體于主機板的插槽接觸不良引起。處理方法是開啟機箱後拔出記憶體,用酒精和幹凈的紙巾對擦試記憶體的金手指和記憶體插槽,並檢查記憶體插槽是否有損壞的跡象,擦試檢查結束後將記憶體重新插入,一般情況下問題都可以解決,如果還是無法開機則將記憶體拔出插入另外一條記憶體插槽中測試,如果此時問題仍存在,則說明記憶體已經損壞,此時隻能更換新的記憶體條。

5、開機後顯示如下信息:“ON BOARD PARLTY ERROR”。

支招:出面這類現象可能的原因有三種,第一,CMOS中奇偶較驗被設為有效,而記憶體條上無奇偶較驗位。第二,主機板上的奇偶較驗電路有故障。第三,記憶體條有損壞,或接觸不良。處理方法,首先檢查CMOS中的有關項,然後重新插一下記憶體條試一試,如故障仍不能消失,則是主機板上的奇偶較驗電路有故障,換主機板。

6.Windows系統中運行DOS狀態下的套用軟體(如DOS下運行的遊戲軟體等)時出現黑屏、花屏、當機現象。

支招:出現這種故障一般情況是由于軟體之間分配、佔用記憶體沖突所造成的,一般表現為黑屏、花屏、當機,解決的最好方法是退出windows作業系統,在純DOS狀態下運行這些程式。

7.Windows運行速度明顯變慢,系統出現許多有關記憶體出錯的提示。

支招:出現這類故障一般是由于在windows下運行的應用程式非法訪問記憶體、記憶體中駐留了太多不必要的外掛程式、應用程式、活動視窗開啟太多、應用程式相關配置檔案不合理等原因均可以使系統的速度變慢,更嚴重的甚至出現當機。這種故障的解決必須採用清除一些非法外掛程式(如3721)、記憶體駐留程式、減少活動視窗和調整配置檔案(INI)等,如果在運行某一程式時出現速度明顯變慢,那麽可以通過重裝應用程式的方法來解決,如果在運行任何套用軟體或程式時都出現系統變慢的情況,那麽最好的方法便是重新安裝作業系統。

8.記憶體被病毒程式感染後駐留記憶體中,CMOS參數中記憶體值的大小被病毒修改,導致記憶體值與記憶體條實際記憶體大小不符,在使用時出現速度變慢、系統當機等現象。

支招:先採用最新的防毒軟體對系統進行全面的防毒處理,徹底清理系統中的所有病毒。由于CMOS中已經被病毒感染,因此可以通過對CMOS進行放電處理後恢復其默認值。方法是先將CMOS短接放電,重新啓動機器,進入CMOS後仔細檢查各項硬體參數,正確設定有關記憶體的參數值。

9.電腦升級進行記憶體擴充,選擇了與主機板不兼容的記憶體條。

支招:在升級電腦的記憶體條之前一定要認真查看主機板使用說明,如果主機板不支持512M以上大容量記憶體,即使升級後也無法正常使用。如果主機板支持,但由于主機板的兼容性不好而導致的問題,那麽可以升級主機板的BIOS,看看是否能解決兼容問題。

記憶體條PCB設計難點

高速信號多,等長線分組較多,且要求較嚴格; 

因PCB板層數較多,信號速率較高,疊層及參數平面的設計較講究。

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