王守武

王守武

王守武,出生于1919年3月15日,半導體器件物理學家,江蘇蘇州人。

1941年畢業于同濟大學。1946年獲美國普渡大學碩士學位,1949年獲博士學位。中國科學院半導體研究所研究員、微電子中心名譽主任。1958年籌建了我國第一個電晶體工廠。1963年起致力于砷化鎵雷射器的研究工作,創造了簡易的光學定晶向的方法,促進了我國第一個砷化鎵雷射器的研製成功。1978年起,帶領科技人員研究用國產的工藝設備和原材料,提高大規模積體電路的成品率。1979年獲全國勞動模範稱號。1980年當選為中國科學院院士。

中科院半導體研究所、中科院微電子研究所獲悉,我國著名半導體器件物理學家、中國半導體科學奠基人之一、中科院院士王守武先生因病醫治無效,2014年7月30日在美國逝世,享年95歲。

  • 中文名稱
    王守武
  • 出生地
    江蘇省蘇州市東山鎮
  • 畢業院校
    同濟大學
  • 逝世日期
    2014年7月30日
  • 籍貫
    蘇州
  • 國籍
    中國
  • 主要成就
    中國科學院科研成果一等獎兩項
    全國勞動模範
  • 代表作品
    《半導體的電子生伏打效應的理論》
  • 出生日期
    1919年3月15日
  • 家人
    王守覺王守融、王淑貞、王明貞
  • 職業
    學者、教師
  • 民族
    漢族

人物介紹

王守武,男,1919年3月15日生。江蘇蘇州人。中國科學院院士。半導體器件物理學家,中國半導體科學奠基人之一。

我國第一個半導體研究室、半導體器件工廠、半導體研究所和全國半導體測試中心的建立者,第一台單晶爐、第一根鍺單晶、第一隻鍺電晶體、第一隻雷射器的研製者與組織領導者。在研究與開發中國半導體材料、半導體器件及大規模積體電路方面做出了重要貢獻。在中國科技大學兼職授課20餘年,培養了大批物理學家和半導體技術專家。

任職

1936-1941年 同濟大學機電系.獲工程科學學士學位。

1941-1942年 重慶國民政府資源委員會昆明中央機器廠工務員。

1942-1943年 中國工合翻砂實驗廠工務部主任。

1943-1944年 同濟大學助教。

1945-1949年 美國普渡大學研究生院.相繼獲碩士、博士學位。

1949-1950年 美國普渡大學助理教授。

1950-1960年 中國科學院套用物理研究所(後改名為物理研究所)副研究員、研究員.半導體研究室主任。

1960-1983年 中國科學院半導體研究所研究員、副所長。

1980-1985年 中國科學院半導體研究所研究員兼中科院109工廠廠長

1986年 中國科學院半導體研究所研究員兼中國科學院微電子中心名譽主任

1958年 籌建了我國第一個電晶體工廠。

1963年起 致力于砷化鎵雷射器的研究工作,創造了簡易的光學定晶向的方法,促進了我國第一個砷化鎵雷射器的研製成功。

1973年起,在領導研究砷化鎵中高場疇的動力學以及PNPN負阻雷射器的瞬態和光電特徵的過程中,提出了一些很有創見的學術觀點。

1978年 帶領科技人員進行提高大規模積體電路晶片成品率的研究,解決了一系列技術難題,使我國大規模積體電路晶片的成品率有顯著提高,成本大為降低。先後獲得中國科學院科技成果一等獎、科技進步一等獎。

1980年 當選為中國科學院院士(學部委員)。

生平

1941年畢業于同濟大學機電系。1949年獲美國普渡大學研究生院工程力學系博士學位。歷任中國科學院半導體研究所研究員、中科院技術科學部委員。是第三、四屆全國人大代表,第五、六屆全國政協委員。1956年負責籌建了我國第一個半導體研究室,設計製造了我國第一台拉製鍺的單晶爐,製成了我國第一批鍺合金管和合金擴散管,並籌建了中國的電晶體工廠。1960年又負責籌建中國科學院半導體研究所。同年組建半導體測試基地,建立半導體材料和器件的測試標準,並研究測量半導體中少子壽命的拳方法,提高了半導體材料的性能。1963年開始,致力于砷化鎵雷射器的研製工作,創造了簡易的光學定晶向的方法,促進了我國第一個砷化鎵雷射器的研製成功。領導了耿氏器件中疇雪崩馳豫振蕩的基礎研究工作,提出了有創見的觀點。1978年起,帶領科技人員研究用國產的工藝設備和原材料,提高大規模積體電路的成品率。1979年獲全國勞動模範稱號。

王守武王守武

1945~1949年在美國普渡大學研究生院學習,獲碩士和博士學位,1949~1950年在該校任助理教授。1950年回國。在中國科學院物理研究所任副研究員、研究員,籌建了中國第一個半導體研究室並任室主任。1960年籌建中國科學院半導體研究所,任研究員、副所長,同時兼任中國科學技術大學教授和物理系副主任、清華大學和北京大學兼職教授。他直接領導設計製造了中國第一台拉製鍺的單晶爐,研製成功中國第一批鍺合金管和合金擴散管。在他指導下成立了雷射研究室。從1963年開始,致力于砷化鎵雷射器的研究工作,創造了簡易的光學定晶向的方法,促進了中國第一個砷化鎵雷射器的研製成功。1973年起,領導研究半導體雷射器中的高場疇動力學和疇雪崩現象。1978年起領導研製半導體大規模積體電路及其工藝研究

主要論著有《半導體的電子生伏打效應的理論》、《關于PN合金結中少數載流子的註射理論》、《用觸針下分布電阻的光電電導衰退來測量半導體中少數載流子的壽命》等。王守武是國務院學位委員會委員,國務院電子電腦和大規模積體電路領導小組積體電路顧問組組長。歷任中國電子學會常務理事,中國物理學會常務理事,北京物理學會副理事長,中國電子學會半導體與集成技術學會主任委員兼《半導體學報》主編。1979年被授予全國勞動模範稱號。

早年生活

王守武,男,漢族,1919年3月15日出生于江蘇省蘇州市。孩童時代常被瘧疾糾纏,身體狀況不好,智力曾一度受到影響。上學後,經常性的病休,持續不斷的自學磨練,使王守武從小就養成了寡言、內向的性格,和善于獨立思考的習慣。在他4歲時,父親赴上海與他人合股開辦機械廠,家人也隨之遷居。不到兩年,工廠倒閉,家裏分得不少機械加工工具,這卻使王守武在家有條件學會鉗工和配鑰匙、修理家庭用具、繞製變壓器等技藝。王守武後來之所以能在科研工作中動手能力強,均得益于那時的培養和磨練。他喜愛數學的父親,工作之餘,常給子女們講些趣味數學,或出一些智力測驗題讓孩子們回答。

王守武王守武

那時,王守武曾隨哥姐們聽父親講過如何求圓周率π的問題,他雖聽不懂,但"π"這個無理數的特徵,卻一直印在他的腦海之中。1934年,父親退休後舉家遷回蘇州。王守武也隨之轉入省立蘇州中學學習。高中三年級時,經過對《三角》、《高等代數》的學習,啓迪了他的思維,他從反三角函式的級數展開中,得到了π的計算方法,寫成"圓周率π的級數展開"一文,發表在蘇州中學的校刊上,顯露了他在領悟數理理論方面的過人才華。自此,從事自然科學工作,既符合他父親的希望,也是他釀就的意願,渴望在著名大學裏得到名師的教誨和嚴格的科學訓練。

王守武高中畢業前夕,未曾根治的宿疾--瘧疾再次重犯,耽誤了學校的年終考試和蘇州全區的畢業會考。一張肄業證書,難以像他哥姐們那樣入清華大學、燕京大學、協和醫學院等名牌學府就讀,隻得聽從曾留學德國的大哥的建議,進同濟大學德文補習班學習。一年後,他重回蘇州中學參加會考,拿到了高中畢業文憑,才正式成為同濟大學機電系的學生。 1937年,"七七"蘆溝橋事變後,日本侵略者將侵華戰火燒到上海,發動了"八一三"事變,同濟大學不得不離滬內遷。八年抗戰的歲月,人民生活不安寧,讀書也不安寧。好不容易挨到了1941年春天,王守武在雲南昆明郊外的同濟大學臨時校舍裏畢業後,因舉家已遷往昆明,遂就近在昆明入兄長王守競任總經理的中央機器廠當了工務員。一年後又入中國工合翻砂實驗工廠任工務主任。經過實踐,訥于言談的王守武自感不適合從事工廠管理工作,便轉到同濟大學任教。

1945年8月,抗日戰爭勝利,王守武出于愛國熱忱,憧憬"科學救國"的道路,便于當年10月,負笈遠行,橫渡大洋,入美國印第安那州普度大學研究生院攻讀工程力學。翌年6月,榮獲碩士學位。王守武各門功課優異,尤以數學成績最好,深得導師贊賞。校方為鼓勵王守武繼續深造,資助他攻讀博士學位。這時,正在興起的量子力學引起了王守武的興趣,便從工程力學轉向對微觀粒子運動規律的研究。兩年後,王守武完成了題為"一種計算金屬鈉的結合能和壓縮率的新方法"的論文,獲得了博士學位

王守武的本意是獲得博士學位後即回國效力。1949年的祖國,正處于黎明前的黑暗時期,王守武難以成行,經普度大學工程力學系主任斯蒂姆(STURM)的敦聘,留校執教,並與同在普度大學留學的葛修懷女士,組成了溫馨的家庭,過著寧靜、舒適的生活。

1949年的10月1日,大洋彼岸的中華大地,傳來了新中國誕生的喜訊,許多與國民黨軍政要員無多大關系的留美同學,常聚會在王守武的家裏,傳看報道中華人民共和國成立的報紙。王守武雖然不熱心于政治,但對國民黨政府的反動和腐敗深有認識,對共產黨為國為民的政策也時有所聞,並深為欽佩和崇敬,當時他深深感到,貧窮落後的祖國,將在共產黨的領導下復興,在社會主義的大道上繁榮,從而下定決心,盡快回歸祖國,以圖報效。

王氏夫婦決意回歸故裏的訊息傳開後,一些當時身處美國的同學和同事勸他留在美國繼續自己的教學生涯;也有的因懾于美國聯邦調查局的淫威,勸他們不要冒風險。但是,主意已定的王守武夫婦毫不動搖,互相勸勉和鼓勵,並為早日回歸祖國進行準備。 1950年的6月25日朝鮮戰爭爆發。王守武出自對時局的敏感,認為應盡快行動,便借思念年邁的孤寡母親為由,向美國當局遞交了回國申請。獲得批準後,即毫不遲疑地偕同夫人攜不滿周歲的女兒,啓程回國。自此,王守武開始了為國效力的生涯。 四十多年來,王守武在他效力的中國科學院,恪盡職守,勤奮工作,為祖國的科學事業,特別是在半導體科技領域,建樹甚多,作出了一系列富有開拓性的貢獻。

王守武1960年加入中國共產黨,1980年被評選為中國科學院技術科學部學部委員(現改稱為中國科學院院士),曾任國務院電子電腦和大規模積體電路領導小組積體電路顧問組組長,中國電子學會常務理事,中國物理學會常務理事,北京物理學會副理事長。現任中國電子學會理事、中國電子學會半導體與集成技術學會主任委員,《半導體學報》主編。他是第三、四屆全國人大代表,第五、六、七屆全國政協委員。

立志報國

"1950年'回國潮'的時候我們一起回國。"王守武院士肯定地說。看著坐在對面的鶴發童顏的老者思維清晰地回憶著過去的事情,我們無法相信這是一個87歲的老人。他正在向我們講述他回國時候的事情。1950年出現了一次海外留學生的"回國潮",大批的留學生在看到中國解放以後都紛紛回國要"建設自己的家園"。1950年2月著名數學家華羅庚在歸國途中向中國的第三代留學生們發出了《致中國全體留美學生的公開信》,3月11日新華社公開發表,之後這些留學生們紛紛回國。

王守武曾在同濟大學主攻機電專業,戰爭年代的大學生活,培養了王守武很強的自學能力,畢業後,先在工廠搞設計又回到大學,當了一名助教,他認為隻有這樣,才能學以致用,真正發揮自己的作用。他自己先行學習,再教給學生。他不滿足于此,便開始接觸材料力學,感到材料力學中有更多可探求的東西。因此,他去美國攻讀材料力學碩士。畢業後,正值國內內戰,他暫時留在美國繼續求學。材料的力學強度與原子結構有關,他轉而又做原子結構的研究。求知欲,好奇心,促使他在相關的研究領域不斷探索,去了解更深、更廣的自然規律。固體理論中的能帶結構,是當時的新東西,這極大地滿足了王守武不僅要把問題搞懂,還要搞得更深、更精的心理,他又攻讀了這一領域的博士學位。

王守武王守武

作為新中國成立後第一批回國報效的熱血青年之一的王守武最想去的是北京,所以當上海有人想要挽留他時,他沒有答應。"當時我來的時候半導體所還沒有成立,我一回來是在套用物理研究所,半導體的事情是在我們手裏做起來的,那個時候中國還沒有半導體,我們回來的時候世界上的半導體業才剛剛起步。"王守武回憶說,"我到了美國學了一點量子力學,然後就偏重于物理了,所以回來就到了物理所。半導體呢是因為是國家的需要,所以我就轉過來做半導體。"

1956年,是王守武科學研究工作中的一個關鍵的轉捩點。因為在這一年,王守武應邀到京西賓館參加由周恩來總理主持的"全國十二年科學技術發展遠景規劃"的討論和製訂工作。在所確定的57項重大科技項目中,半導體科學技術的發展,被列為四大緊急措施之一。為了落實這項緊急任務,中央有關部門決定由黃昆、謝希德和王守武等知名學者,分別在培養人才和從事開拓性研究兩個方面進行突擊。王守武深知這一工作的重要性,毅然中斷了其他科研項目,全身心地投入到半導體的研究工作中來,組成了中國科學院套用物理所中中國第一個半導體研究室。

根據當時國外文獻的報道,鍺是製作電晶體最現實的材料。目標明確之後,在他與同事吳錫九研究員的組織領導下,集中了二機部華北無線電元件研究所、南京工學院等單位的40餘名科學工作者,開始了半導體鍺材料的研究工作。他一面抓鍺材料的提純,一面親自領導設計製造了我國第一台拉製半導體鍺材料的單晶爐,並于1957年底拉製成功了我國第一根鍺單晶;1958年8月,負責器件組工作的王守覺副研究員從蘇聯學習歸來,引來了合金擴散工藝,加速了我國第一批鍺高頻合金擴散電晶體的成功研製。作為研究室主任的王守武,在參與研製鍺高頻合金擴散管的同時,又參與了拉製矽單晶的組織領導工作,並具體解決了在拉製矽單晶過程中因坩堝底部溫度過高而引起的跳矽難題。

1957年林蘭英回國,王守武親自到她所住的賓館去動員她來半導體工作組工作,任材料研究組組長,具體實施了矽單晶的拉製方案。經王守武與林蘭英的共同努力,使得我國第一根矽單晶于1958年7月問世。為了促進我國第二代(電晶體型)電子電腦的研究,在王守武與有關同志的組織領導下,于1958年建立了我國最早的一家生產電晶體的工廠--中國科學院109工廠,從事鍺高頻電晶體的批量生產。在人員和設備都較困難的情況下,組織全廠人員奮戰,到1959年底,為研製109乙型電腦提供了12個品種、14.5萬多隻鍺電晶體,完成了該機所需的器件生產

偶然興趣

1960年9月6日,中國科學院半導體研究所正式成立,王守武被任命為首任副所長,負責全所的科研業務管理和開拓分支學科的組建等工作。

但是在剛剛回國的時候王守武還做過許多其他的事情,他至今都覺得很有意思。1950年底,王守武剛剛到物理所,就有人交給他一項緊急任務:為在抗美援朝前線的志願軍運輸隊設計一種特殊的車燈和路標。那個時候前線運輸的車子晚上不能開燈,刺眼的燈光在晚上會成為敵軍飛機的轟炸目標。要設計出一種特殊的車燈和路標,使車上的司機能看見又不致被敵機發現。王守武馬上組織科研人員依據他的設計進行加工製作。他依據光線在錐體表面定向反射的原理,使特殊設計的車燈光線在路標上的反射光,隻能定向地射到司機的眼裏,避免了敵機發現的可能性。設計製作完成後,在北京郊區進行了實地試驗,結果非常成功地解決了問題。

1951年5月西藏和平解放後,當地政府發現藏民生活用燃料奇缺,能源不足,但是高原的陽光充足,便向中國科學院提出了"用太陽來做飯"的請求。受命主持此項設計任務的王守武,考慮到製造一個大面積的拋物形反射鏡加工有困難,決定改用多個窄圓錐形反射面組成的反射系統,用調整每個圓錐面斜度的方法,使平行于主軸方向的光線都反射到太陽灶的中心。設計製作成功後,用它可以在15分鍾內把一壺水燒開。這種太陽灶,至今還在青藏高原發揮它的作用。"在那個時候做這個東西也不需要太大的成本,我們就是用鍍鋅鐵皮拼起來的,很簡單。這幾個例子就是我回來以後做的幾件事情,這些都是實際套用的東西。"王守武對這些事情的評價就是都是有用的東西。

王守武王守武

但是這些事情都是和半導體沒什麽關系的事情,讓他對半導體產生興趣是一個很偶然的機會。"在物理所的時候有人說有個儀表壞了他們不會修,送給我們,我們拆開了一看,裏面有個叫氧化亞銅的鎮流器壞了,這個東西去啊裏弄啊,我們就查了一些文獻後自己做,就這樣對半導體產生了興趣,之後在做12年規劃的時候就選擇了半導體。"查文獻,自己做,這是你經常能從王守武嘴裏聽到的話,他對于這種要自己動手的事情有著濃厚的興趣。所以他也說他和黃昆一個是做理論的一個是做套用的。"國家的需要就是王守武所要追求的目標,也就是在這樣一種信念的鞭策之下王守武相繼又攻克了幾個大的課題。

研究成果

大規模積體電路

20世紀50年代末,自從鍺、矽半導體單晶材料和電晶體在半導體研究室相繼問世後,半導體材料與器件工業在全國如雨後春筍般地發展起來,但材料與器件質量的檢測手段還遠不能適應客觀需要,因為在當時,不同單位對同一參數的測試結果差別很大,難以據此來判斷各單位所取得成果的水準。1962年,王守武依據國家科委的決定,在半導體所籌建全國半導體測試中心。1964年元旦前夕,研製成功了我國第一隻半導體雷射器。

此後,為了把這些科研成果迅速推廣到實際套用中去,王守武除了繼續從事研製新品種雷射器外,還親自指導並參與了雷射通信機和雷射測距儀的研製工作。此後不久,我國第一台雷射通信機就誕生了,它可以在無連線的情況下,保密通話達3公裏以上。為了提高雷射測距儀的可測距離,王守武提出並設計了從噪聲中提取信號的電路,裝上這個電路後可以使雷射測距儀的測距能力提高一倍以上。這些研究成果填補了國內空白,有力地支援了國防現代化建設和國民經濟建設。

但是,正當王守武為發展中國半導體科學事業大顯身手、全力以赴地奉獻自己的聰明才智時,"文化大革命"開始了。王守武被停職審查,無端的誣蔑和誹謗讓他覺得"委屈"、"憤懣"和"不解",但是這些都並未對他立志為國的決心有絲毫的動搖。為了彌補雷射器件研究室缺少分析雷射特徵手段的缺陷,他主動提出,經監管人員批準,設計研製成功了雷射發散角分布測試儀。1968年春,當時的國防科委領導點名要王守武緊急完成一項從越南戰場運回的武器解剖任務。王守武毫不猶豫地登上了前往西安的航程。"文革"後期,周恩來總理提出"要重視基礎理論研究"的號召。王守武不顧半導體研究所的基礎理論研究隊伍受到"文革"嚴重摧殘的困難局面,積極回響周總理的號召,著手于基礎理論的研究工作,開展了對新發現的耿氏器件中疇的雪崩馳豫振蕩的深入研究。依這項工作寫成的論文,1975年在美國物理學會年會上宣讀後,得到國外同行的好評,當年的《中國科學》上發表了這篇論文。在這基礎上,他開始用電腦模擬技術對耿氏器件中高場疇的動力學進行分析研究,取得了系列成果,發表了多篇論文。

1978年10月,王守武被請到中國科學院主要領導同志的辦公室,要他出馬,全面負責4000位的MOS隨機存儲器這一大規模積體電路的研究工作。這個時候王守武那種"做有用的東西"的思想又冒了出來,他認為搞一種新產品,隻出樣品、禮品、展品,沒有一定的成品率,不能真正解決國家的急需;隻有在國產設備的基礎上提高成品率,才有推廣生產的現實意義。

但是研製這種大規模積體電路,要在面積不到4×4平方毫米的單元矽片上,經過40多道工序,製作出由1.1萬多個電晶體、電阻、電容等元件構成的電子電路。如果單項工藝的完好率達到95%,晶片的最終工藝完好率也隻有13%,要製作出樣品,並有一定的成品率,談何容易。王守武從穩定工藝入手,跟著片子的流程,對工藝線的每道工序進行認真細致的檢查,要求各工序的負責人,詳盡地定出各自的操作規程。定好後就嚴格執行,未經工藝負責人應允,不許隨意變更。要想工藝質量穩定,首先必須凈化系統和使工藝設備性能穩定。王守武率領科研人員對所用的儀器設備,一件件、一台台地認真檢修、改造和革新,從根本上解決問題,使之穩定可靠。風浴門時控開關壞了、光刻機漏油、蒸發器性能不穩、橢圓測厚儀常出毛病,王守武常常親自進行檢修,不止一次地趴在地下查找原因、更換元件。對所用超純水、試劑、超純氣體、光刻膠、超微粒幹版、版基玻璃等基礎材料,都一一進行認真測試,使之達到所需的質量標準

王守武依據他對單項工藝研究的構想,要求一般工藝完好率達95%以上、關鍵工藝完好率達99%以上之後,先從研製難度不大的256位中規模積體電路入手,以驗證工藝流程的穩定性和可靠性。當其成品率達47%以上時,王守武才讓投片研製4000位動態隨機存儲器。為了對比選優,投入了三種不同的設計版圖,並都出了樣品。1979年9月28日,其中一種版圖的批量成品率達20%以上,最高的達40%,為當時國內大規模積體電路研製中前所未有的最高水準

1980年,剛剛過完春節,上級要王守武去中國科學院109工廠兼任廠長職務,開展這4000位大規模積體電路的推廣工作,從事提高成品率、降低成本的積體電路大生產試驗。

在完成廠房、設備、原材料等基本條件的質量保證工作之後,王守武又指導科技人員一絲不苟地解決工藝中的每個問題。在確定工藝技術方案時,他不僅引導大家大膽採用等離子化學汽相淀積(CVD)這一最新工藝,還積極採用半導體研究所發明的一種成本低、光刻線邊界整齊、針孔少、適合大生產的無顯影光刻技術。王守武認為,取得一個電路品種的高成品率隻是表示這套生產工藝可以起步;要使各個電路品種均能高成品率地產出並符合設計要求,還得在保證封裝質量、依使用者對產品的反饋信息改進電路性能和使之批批穩產、高成品率產出上狠下功夫。中科院109廠的這條年產上百萬塊中、大規模積體電路生產線,就這樣地在王守武的精心操持下宣告建成,其產品亦隨之進入市場並經受了眾多使用者的考驗。

貢獻與成就

1956年,是王守武科學研究工作中的一個轉捩點,人生之旅中的一個關鍵年代。因為在這一年,王守武應邀參加由黨中央和國務院領導同志主持的"全國十二年科學技術發展遠景規劃"的討論和製訂工作。在所確定的57項重大科技項目中,半導體科學技術的發展,被列為五大緊急措施之一,是抓緊實施的重點。1957年底,拉製成功了我國第一根鍺單晶;同年11月底到次年初,王守武與同事合作,研製成功了我國第一批鍺合金結電晶體,並掌握了鍺單晶中的摻雜技術,能控製鍺單晶的導電類型、電阻率及少數載流子壽命等電學指標,達到了器件生產的要求。1968年春,王守武著手于基礎理論的研究工作,他開始用電腦模擬技術對耿氏器件中高場疇的動力學進行分析研究,取得了系列成果,發表了多篇論文。1978年10月,王守武全面負責4千位的MOS隨機存儲器這一大規模積體電路的研究工作。

王守武還很熱心教育事業。1958年,由中國科學院院長郭沫若任校長的中國科技大學成立,王守武受命任該校物理系(二系)副主任和半導體專業的主任,並為高年級學生講授《半導體物理》(Ⅱ)課程,直到1980年止。這期間,學校半導體專業的教學內容和科研方向,都由王守武安排和製訂,包括安排學生去半導體研究所實習和做畢業論文。他的辛勞,已結出豐碩的果實:他的學生,不少現已成為半導體科技領域中的棟梁人才。

在我國半導體學界享有崇高威望的半導體物理學家、微電子學家王守武,把發展我國半導體科學事業視為已任,兢兢業業為之奮鬥了一生。他遠見卓識,富于開創精神,勇于以學科發展中的關鍵課題和影響大的問題為目標,開拓新研究領域;他事業心強,奮發努力,從不滿足已有成果,不斷為自己提出新課題,並都以發展國民經濟、增強綜合國力為出發點;他對工作十分認真,重視實踐,講究實效,嚴格按科學規律辦事;他為人忠厚、誠實,待人謙和,作風民主,無論是在學術討論中,或做其他工作時,總是謙虛謹慎,平等待人。他的為人和他的科學成果一樣,贏得了人們的愛戴和敬重。

院士評價

王守武,中國科學院院士,中國半導體事業奠基人之一。早年留學美國,新中國成立初期回國。1956年,王守武成為中科院物理研究所半導體室主任。1960年中國科學院半導體研究所成立,王先生出任第一任業務副所長。1978年黃昆先生任半導體所所長後,他們通力合作,為我國半導體元器件、光電子發展領域奠定了堅實的科技基礎,作出了重要的貢獻。已87歲高齡的王守武,仍活躍在科研一線,每年還奔波于中美兩國之間。在國內他承擔了中科院半導體所和微電子所兩方面的研究工作,每周堅持工作兩天,並樂此不疲。 王守武1919年出生在蘇州的一戶名門望族。上溯幾代,這個家族明朝時曾出過宰相,"詩書傳家久"的古訓是這個家族的座右銘,他的父親在清朝的時候是留學生監董,專心讀書、獲取知識,為國家做力所能及的事是這個家族的家風。

王守武大姐王淑貞是我國婦產科學奠基人之一,與著名婦產科專家林巧稚齊名,有"南王北林"之譽。大哥也是學物理的,回國後在浙江大學教了一段時間的書,後因工作原因定居美國,他的愛人是外國人,他很想回國,但是他的夫人不同意,到逝世時也沒回國。排行老三的姐姐王明貞教授是著名的統計物理隨機過程專家,1943年至1945年在美國麻省理工學院雷達實驗室參加美國早期軍用雷達研製,1955年回國,在清華大學物理系教研組任教。四姐是學文學的,倒是這個偏理家族裏的一個另類;四哥是學精密機械的,出國進修後在天津大學教書;最小的弟弟是中科院院士王守覺,二人被稱為中科院的"雙子座"。在同一個所工作。

人物逝世

我國著名半導體器件物理學家、中國半導體科學奠基人之一、中科院院士王守武先生因病醫治無效,2014年7月30日在美國逝世,享年95歲。

王守武先生曾組織領導並親自參加了我國第一台單晶爐的設計、第一根鍺單晶的拉製、第一隻鍺電晶體的研製和第一根矽單晶的拉製。1980年當選為中科院院士。

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